求助，全桥逆变器炸管了

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求助，全桥逆变器炸管了 [复制链接]

 

各位大佬，小弟我新做了一个全桥逆变器，mos管是STF13N60M2(600V，11A)，全桥驱动芯片是2EDF7275。做好后测试，先测了上下桥臂驱动电压，在桥路没通电、空载的情况下，分别给了两块驱动芯片500ns高电平，中间设置了100ns死区时间，测出来驱动电压波形是这样的，振荡很大。之后我断开驱动、同样空载，给桥路接入了一个400V、20W的直流高压模块，此时非常奇怪，高压模块输出电压直接降到了10V，另有1.3A电流，明明这时候四个mos管都没有接驱动。测了一会儿后Q2、Q4明显升温(测温枪显示Q2Q4大概快40度，Q1Q3还是室温)，我觉得奇怪，就把400V高压换成了12V开关电源，刚接上驱动(还是两路分别500ns高电平、100ns死区时间、空载)，结果下管Q4直接烧穿了。

此事令我费解，为何四个mos管没导通时桥路里就有电流，为何接上驱动后炸管了，是死区时间太短、共导炸管吗？请各位大佬帮我分析分析，资料放下面了，感激不尽！

 

  

 

下桥臂驱动波形，给500ns高电平后拉低

 

 

没接驱动、空载时桥路中有1.3A电流

 

 

 

原理图和PCB图，Q4炸了

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2024-12-15 19:28 上传

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2024-12-15 19:28 上传

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mos管和驱动芯片的数据手册

hahajing

就这波形看着就恐怖,要么加保护要么换性能更好的管,多看看资料。

qwqwqw2088

"明明这时候四个mos管都没有接驱动"

明明知道MOS管就没工作，这个得查，为什么没有工作

另外，给2edf7275k的PWM1、PWM2是怎么产生的，

死区时间是怎么设置的

 

chineseboyzxy

不接驱动，你的栅极是悬空的么？栅极悬空，不是离“死”不远了

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hahajing 发表于 2024-12-15 20:04 就这波形看着就恐怖,要么加保护要么换性能更好的管,多看看资料。

换管还是换驱动芯片更好呀。这个管是我找到的600V耐压下导通关断相对较快的了

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qwqwqw2088 发表于 2024-12-16 08:35 "明明这时候四个mos管都没有接驱动" 明明知道MOS管就没工作，这个得查，为什么没有工作 另外，给 ...

这时候驱动芯片没有上电，mos管应该没有在导通吧？失策了，下次应该上电后再输入低电平的。

给2edf7275k的PWM1、PWM2是FPGA产生的，用杜邦线连过来的。PWM1高电平500ns，死区时间100ns，之后PWM2再高电平500ns。

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chineseboyzxy 发表于 2024-12-16 08:56 不接驱动，你的栅极是悬空的么？栅极悬空，不是离“死”不远了

我表述有误，驱动是焊在板上的，和mos管一直连接着，只是这时候驱动芯片没接电源。

还是失策了，应该给驱动上电后再输入低电平的。

chineseboyzxy

305772911 发表于 2024-12-16 09:28 我表述有误，驱动是焊在板上的，和mos管一直连接着，只是这时候驱动芯片没接电源。 还是失策了，应该 ...

驱动芯片不上电，大概率跟悬空一个样子的效果。

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chineseboyzxy 发表于 2024-12-16 09:53 驱动芯片不上电，大概率跟悬空一个样子的效果。

也就是驱动芯片不上电也有可能误导通对吧，我明白了，感谢指导。大佬对其他现象有什么看法吗？

振动试验仪器

GS极间应加一个十K左右的电阻，当驱动电压是低电压时，就是保证G极是低电压，防止干扰。当G极悬空时，在低电压时，D极的高电压感应到G极时，变成了不可控，从而烧坏管子

并联一个18V的稳压管，防止栅极过压。

tagetage

驱动是焊在板上的，和mos管一直连接着，只是这时候驱动芯片没接电源。--------关键点在这，驱动芯片不能在MOS后上电。。。

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振动试验仪器 发表于 2024-12-17 03:48 GS极间应加一个十K左右的电阻，当驱动电压是低电压时，就是保证G极是低电压，防止干扰。当G极悬空时，在 ...

2EDF7275数据手册的推荐电路里没接这个10k电阻，所以我这次就没接。看来还是接上为好。

 

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tagetage 发表于 2024-12-17 07:54 驱动是焊在板上的，和mos管一直连接着，只是这时候驱动芯片没接电源。--------关键点在这，驱动芯片不能在M ...

我明白了，应该就是这个原因导致MOS误导通进而炸管，下次测试注意

beyond_笑谈

305772911 发表于 2024-12-16 09:26 这时候驱动芯片没有上电，mos管应该没有在导通吧？失策了，下次应该上电后再输入低电平的。 给2edf727 ...

死区时间100ns
//这个时间太有挑战性了，500ns都很牛，之前都是设置为2us，有时还是3us

beyond_笑谈

建议先根据Q=I*t计算一下MOSFET导通的时间，再对应调整死区设置时间。

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beyond_笑谈 发表于 2024-12-19 13:56 死区时间100ns //这个时间太有挑战性了，500ns都很牛，之前都是设置为2us，有时还是3us

这个mos的datasheet里写VDD=300V，ID=5.5A下，导通延迟11ns，上升10ns，关断延迟41ns，下降9.5ns。这样看的话100ns死区时间并非不可能？如果死区时间要设置成2us以上，那完全没法实现兆赫兹级的方波了呀。。