进行电机驱动H电路中的MOS管选择？

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进行电机驱动H电路中的MOS管选择？ [复制链接]

H电路的工作原理是通过控制四个开关管（‌两个N型MOS管和两个P型MOS管或者全部使用N型MOS管）‌的通断来改变电机供电的极性，‌从而实现电机的正反转、‌速度调节和制动等功能。‌

 

将两个MOS管一上一下的方式放在一条直线上，叫做“半桥”，我们分别叫它上管和下管或者上臂和下臂，而两个半桥组合一起，就是H桥电路，正中心就是负载电机。

 

那这四个MOS应该怎么选择呢？

 

有人能给讲讲吗？

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以前做吸尘器控制器时采用H桥驱动直流有刷电机，如果小功率电机可以直接用集成了H桥的驱动芯片。如果电机功率大，采用驱动芯片+NMOS

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如果功率小可以使用三极管PNP+NPN 或上PMOS+下NMOS，如果功率比较大500W（个人经验）以下电压又不是很高110V（个人经验）以下，选择NMOS+驱动的模式。如果功率较大且电压较高110V以上可以使用IGBT+驱动的模式。IGBT的热损较大，所以工作电压需要高些。MOS的耐压不行，但是热损较小开关速度较快。近年来碳化硅的MOS的耐压较高，就是较贵。有些场合使用碳化硅也是不错的。例如：480V的电动车驱动

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具体到全桥的MOS管选型，内阻要小，散热好的TO-220适合于有较大散热面积的应用，另外，成本问题是考虑的，选择NMOS多些