半导体炉管用硅部件行业技术发展趋势及市场空间预测报告

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半导体炉管用硅部件行业技术发展趋势及市场空间预测报告 [复制链接]

2024年10月31日 调研机构Global Info Research出版了《全球半导体炉管用硅部件行业总体规模、主要厂商及IPO上市调研报告，2024-2030》。本报告主要分析全球半导体炉管用硅部件总体规模，主要地区规模，主要企业规模和份额，主要产品分类规模，下游主要应用规模等。规模分析包括收入和市场份额等。深入分析了全球范围内主要企业竞争态势，收入和市场份额等，同时也重点分析全球市场主要厂商（品牌）产品特点、产品规格、收入、毛利率及市场份额、及发展动态。历史数据为2019至2023年，预测数据为2024至2030年。

 

调研机构：Global Info Research电子及半导体研究中心

 

报告页码：115

 

热处理工艺、薄膜沉积工艺可以统称为炉内工艺。二者加工场景中的炉内腔体结构存在一定共性，均需要使用硅舟、硅舟基座、硅内管、硅喷射管等硅部件产品，统称为炉管用硅部件（热处理、LPCVD）产品。

 

在半导体工艺中，热处理是不可或缺的重要工艺之一，具体包括氧化、扩散、退火。氧化是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理，在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程，氧化膜可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层（损伤缓冲层）、表面钝化、绝缘栅材料以及器件保护层、隔离层、器件结构的介质层等。扩散是指在高温条件下，利用热扩散原理将杂质元素按工艺要求掺入硅衬底中，使其具有特定的浓度分布，从而改变硅材料的电学特性，形成半导体器件结构，扩散工艺在硅 IC 工艺中被用于制作 PN 结或构成集成电路中的电阻、电容、互连布线、二极管和晶体管等器件。退火是指在氮气等不活泼气氛中加热离子注入后的硅片，修复离子注入带来的晶格缺陷的过程，可以激活杂质、消除损伤。用于氧化/扩散/退火的基本设备包括卧式炉、立式炉和快速升温炉（RTP）。

 

薄膜沉积是一种添加工艺，是指利用化学方法或物理方法在晶圆表面沉积一层电介质薄膜或金属薄膜，根据沉积方法可以分为化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）、原子层沉积（ALD）三大类。CVD 是利用气态化学原材料在晶圆表面产生化学反应过程，在表面沉积一种固态物作为薄膜层。CVD 广泛应用在晶圆制造的沉积工艺中，包括外延硅沉积、硅沉积、电介质薄膜沉积和金属薄膜沉积。常用的化学气相沉积工艺包括常压化学气相沉积（APCVD）、低压化学气相沉积（LPCVD）和离子增强型化学气相沉积（PECVD）。 其中 LPCVD（Low Pressure Chemical Vapor Deposition），广泛用于二氧化硅（LTO TEOS）、氮化硅（低应力）（Si3N4）、多晶硅（LP-POLY）、磷硅玻璃（BSG）、硼磷硅玻璃（BPSG）、掺杂多晶硅、石墨烯、碳纳米管等多种薄膜，和常压的 CVD 相比，LPCVD 设备有更低的综合成本、更高的产能和更好的薄膜性能，在薄膜制造过程中使用较为广泛。在芯片的热处理、LPCVD 工艺中，芯片处于 600-1,250 摄氏度的生产环境中，需要采用在高温环境下保持强度和超高纯度，且不会对芯片造成损伤和污染的结构部件作为与晶圆直接接触或者与加工环境（气体）接触的材料。

 

根据本项目团队最新调研，预计2030年全球半导体炉管用硅部件产值达到123百万美元，2024-2030年期间年复合增长率CAGR为5.8%。

 

目前全球半导体炉管用硅部件市场，主要由少数几家生产厂商主导，包括宁夏盾源聚芯半导体、SICO Technology GmbH和Siliciumbearbeitung Andrea Holm GmbH等。

 

根据不同产品类型，半导体炉管用硅部件细分为：硅舟、 硅喷射管、 基座、 硅管

 

根据半导体炉管用硅部件不同下游应用，本文重点关注以下领域：热处理设备（热氧化、退火、扩散）、 低压化学气相沉积（LPCVD）

 

本文重点关注全球范围内半导体炉管用硅部件主要企业，包括：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、 SICO Technology GmbH、 Siliciumbearbeitung Andrea Holm GmbH