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一粒金砂(中级)

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MOS管DS短路 [复制链接]

 
 

用P型MOS管的时候上电加负载DS两端短路是什么情况,电压加到28V,负载2.5A,用在过流保护电路中,过流后关断,但是老是烧MOS管

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维修功放时,先断开DS间电压,加上GS电压,用示波器检查GS的电压 波形是方波,并且看占空比要是正确的。 GS电压波形正常后再加上DS的电压。   详情 回复 发表于 2024-10-13 01:34
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一粒金砂(中级)

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"用P型MOS管的时候上电加负载DS两端短路是什么情况,电压加到28V,负载2.5A,用在过流保护电路中,过流后关断,但是老是烧MOS管"

 
 
 

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MOSFET失效后的主要现象就是DS短路,根据描述应该是热击穿了,MOSFET加强散热。

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击穿的时候检测了MOS管温度,大概40多度    详情 回复 发表于 2024-10-8 10:56
 
 
 

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所选的MOS管能够承受2.5A的持续电流。
28V的电压可能超过了MOS管的最大漏源电压(Vds_max),

要选择击穿电压更高的MOS管吧

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我选的是100V的VDS,内阻17mΩ的,试了好几次,每次上电几十秒 MOS 管就冒烟了,DS就短路了,麻烦问一下这种是什么情况  详情 回复 发表于 2024-10-8 11:01
 
 
 

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beyond_笑谈 发表于 2024-10-8 10:40 MOSFET失效后的主要现象就是DS短路,根据描述应该是热击穿了,MOSFET加强散热。

击穿的时候检测了MOS管温度,大概40多度

 

 
 
 

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一粒金砂(中级)

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beyond_笑谈 发表于 2024-10-8 10:40 MOSFET失效后的主要现象就是DS短路,根据描述应该是热击穿了,MOSFET加强散热。

  电路图这样,MOS管选的WSD86P10DN56,参数如下

 

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你的R13图示为2欧姆,三极管BE结和电阻并联,算也来也只有0.3A电流就导通了吧。  详情 回复 发表于 2024-10-8 14:23
从你的各节点电压值看,这个VGS根本就导通不了MOS管,电流从体二极管过,肯定 有温升。  详情 回复 发表于 2024-10-8 11:30
 
 
 

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一粒金砂(中级)

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qwqwqw2088 发表于 2024-10-8 10:52 所选的MOS管能够承受2.5A的持续电流。 28V的电压可能超过了MOS管的最大漏源电压(Vds_max), 要选择击 ...

我选的是100V的VDS,内阻17mΩ的,试了好几次,每次上电几十秒

MOS 管就冒烟了,DS就短路了,麻烦问一下这种是什么情况

 
 
 

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一粒金砂(初级)

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是什么类型的负载?如果是感性负载,应在负载两端增加续流二极管或RC缓冲电路,易吸收断开时产生电磁能量,避免感应电压将MOS管击穿。

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就是电子负载恒流CC   2.5A的负载  详情 回复 发表于 2024-10-8 11:11
 
 
 

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zdb9 发表于 2024-10-8 11:07 是什么类型的负载?如果是感性负载,应在负载两端增加续流二极管或RC缓冲电路,易吸收断开时产生电磁能量, ...

就是电子负载恒流CC   2.5A的负载

 
 
 

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一粒金砂(中级)

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建议看下驱动波形,是否存在导通不彻底情况

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之前测试过GS两端电压,2.4A拆掉mos测试电压为12V,2.5A的时候压差为0,此时应该关断但是刚测试完大概也就10几秒,mos就DS就击穿了    详情 回复 发表于 2024-10-8 11:30
 
 
 

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五彩晶圆(初级)

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ABC159753 发表于 2024-10-8 10:59   电路图这样,MOS管选的WSD86P10DN56,参数如下  

从你的各节点电压值看,这个VGS根本就导通不了MOS管,电流从体二极管过,肯定 有温升。

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这个是仿真的MOS 管关断状态,实际用的器件和仿真有差别,电路图是这样的,实际2.4A负载的时候GS两端12V的电压,MOS管是10V完全导通,2.5A负载GS两端没有压差,这个时候要关断,但是MOS管直接SD两端击穿了  详情 回复 发表于 2024-10-8 11:40
 
 
 

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一粒金砂(中级)

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xiayichuyang123 发表于 2024-10-8 11:16 建议看下驱动波形,是否存在导通不彻底情况

之前测试过GS两端电压,2.4A拆掉mos测试电压为12V,2.5A的时候压差为0,此时应该关断但是刚测试完大概也就10几秒,mos就DS就击穿了

 

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mos管10V就能完全导通  详情 回复 发表于 2024-10-8 11:34
 
 
 

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一粒金砂(中级)

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ABC159753 发表于 2024-10-8 11:30 之前测试过GS两端电压,2.4A拆掉mos测试电压为12V,2.5A的时候压差为0,此时应该关断但是刚测试完大概也 ...

mos管10V就能完全导通

 
 
 

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一粒金砂(中级)

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呜呼哀哉 发表于 2024-10-8 11:30 从你的各节点电压值看,这个VGS根本就导通不了MOS管,电流从体二极管过,肯定 有温升。

这个是仿真的MOS 管关断状态,实际用的器件和仿真有差别,电路图是这样的,实际2.4A负载的时候GS两端12V的电压,MOS管是10V完全导通,2.5A负载GS两端没有压差,这个时候要关断,但是MOS管直接SD两端击穿了

 
 
 

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一粒金砂(中级)

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ABC159753 发表于 2024-10-8 10:59   电路图这样,MOS管选的WSD86P10DN56,参数如下  

你的R13图示为2欧姆,三极管BE结和电阻并联,算也来也只有0.3A电流就导通了吧。

 
 
 

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纯净的硅(初级)

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可以加大R13电阻值,在不损坏MOS的前提下,测试保护电路的功能和动作时间、恢复时间。

 
 
 

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一粒金砂(中级)

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MOS又不是一个开关,你这样会让MOS工作在线性区,烧毁MOS。设计意图可以理解,通过采样电阻R13去控制三极管Q4的输出,最终让MOS关断。问题是MOS的VGS并不是低于导通阈值就会关断的,还是在持续导通,这个时候MOS的Rds会根据驱动电压有线性变化最终让输出电流达到一个平衡值,并且这个值不会是0。输出电压是降低了,这是因为Rds增大以后分压全在MOS上,MOS承当了所有功耗。MOS能承受的电流是完全导通的情况下电压和电流组成的安全区,不是说线性区也能承受。你这个封装热阻是62°/W,连3W的功耗都承受不了,烧是正常的。

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那麻烦问一下这种情况下怎么修改一下才能避免这种情况呢  详情 回复 发表于 2024-10-10 09:25
 
 
 

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一粒金砂(中级)

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聋门叨客 发表于 2024-10-9 10:59 MOS又不是一个开关,你这样会让MOS工作在线性区,烧毁MOS。设计意图可以理解,通过采样电阻R13去控制三极管 ...

那麻烦问一下这种情况下怎么修改一下才能避免这种情况呢

 
 
 

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纯净的硅(中级)

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维修功放时,先断开DS间电压,加上GS电压,用示波器检查GS的电压 波形是方波,并且看占空比要是正确的。

GS电压波形正常后再加上DS的电压。

 
 
 

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