EG2106D 高压 600V 半桥 MOS 管驱动芯片

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EG2106D 高压 600V 半桥 MOS 管驱动芯片 [复制链接]

EG2106D 高压 600V 半桥 MOS 管驱动芯片

特性：

高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V

适应 5V、3.3V 输入电压

最高频率支持 500KHZ

VCC 和 VB 端电源带欠压保护

低端 VCC 电压范围 10V-25V

输出电流能力 IO+/- 0.3 A/0.6A

HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出

LIN 输入通道高电平有效，控制低端 LO 输出

外围器件少

封装形式：SOP8

无铅无卤符合 ROHS 标准

描述：

EG2106D 是一款高性价比的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC中的驱动电路。EG2106D 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V～25V。该芯片输入通道 HIN内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。

应用：

移动电源高压快充开关电源

无线充电驱动器变频水泵控制器

DC-DC 电源

无刷电机驱动器