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一粒金砂(中级)

请教一下H桥限流电路的异常问题 [复制链接]

 
8芯积分

原理图中是使用光耦组成的H桥控制OUTA和OUTB之间负载的电流流向,下半部分是放大器组成的电流控制电路,现在的问题是:U24和U29同时打开,或者U25和U28同时打开时,负载两端的电压波形存在尖刺,尖刺引起的原因是负端电压相比正端电压存在延时,波形如下图,请教各位一下导致这个延时的原因是什么?

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6N137这种高速光耦,以前普遍用在工控设备的信号隔离上,在楼主的这种应用场合是应该用来替代PC817   详情 回复 发表于 9 小时前

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【负载两端的电压波形存在尖刺】

示波器波形中没有看到尖刺。

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这个应该是我表述有问题,是负载两端电压作差后存在尖刺。  详情 回复 发表于 2024-9-23 11:44

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【请教各位一下导致这个延时的原因是什么?】

光耦开通和关闭都存在时滞,而且每个光耦开通和关闭延迟时间各不相同,存在分散性。光耦的驱动电路也存在延迟,每个驱动电路的延迟各不相同。这是【负端电压相比正端电压存在延时】的原因。

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我测试过,如果去掉放大器组成的电流控制电路,负载负端直接接地,或者直接用固定电阻替换电流控制电路,负载两端的电压就不存在延时,只有有电流控制电路时,光耦开启时才会有电压的延时  详情 回复 发表于 2024-9-23 11:43

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maychang 发表于 2024-9-23 11:26 【请教各位一下导致这个延时的原因是什么?】 光耦开通和关闭都存在时滞,而且每个光耦开通和关闭延迟时 ...

我测试过,如果去掉放大器组成的电流控制电路,负载负端直接接地,或者直接用固定电阻替换电流控制电路,负载两端的电压就不存在延时,只有有电流控制电路时,光耦开启时才会有电压的延时

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maychang 发表于 2024-9-23 11:23 【负载两端的电压波形存在尖刺】 示波器波形中没有看到尖刺。

这个应该是我表述有问题,是负载两端电压作差后存在尖刺。

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一粒金砂(中级)

U24和U29是由同一个信号控制的,而且驱动延时各不相同的话应该也存在随机性,但是现在看来每一个板子都是负端存在延时。

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一粒金砂(高级)

光偶驱动端加数字电路保持输出时序稳定

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是有三极管做放大提升驱动能力的  详情 回复 发表于 2024-9-24 17:23

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  • 优化H桥的控制逻辑和时序设计,确保控制信号的同步性和一致性。
  • 选择响应时间更快、性能更稳定的光耦和放大器元件。
  • 检查并优化信号传输路径,减少路径差异和电磁干扰。
  • 加强电源的稳定性和滤波设计,确保电源输出的纯净度和稳定性。
  • 仔细检查并优化接地设计,确保接地回路的完整性和合理性。
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感谢你的建议,实际上这些我都做过了,但是基本没效果,只要使用PWM波控制光耦导通,那AB两端压差就一定会有尖刺,我也很头疼这个事  详情 回复 发表于 2024-9-24 17:22

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纯净的硅(中级)

示波器波形图片上的负载正负端是 电路图上H桥放大器上的 OUT1A  OUT1B 吗,

H 桥放大器的两个输出输出端应该是反相,两个输出端连接后就是一个输出端电压的两倍了。

你现在输出端的两个波形基本上相同的了,这样有放大作用吗,

 

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放大?我没有用光耦放大啊,H桥只是控制导通方向,下面是可控恒流源啊,整个电路的作用是让负载在恒流模式下工作,但是OUTA和OUTB的压差有尖刺是不符合设计要求的,这里就没有放大的问题啊  详情 回复 发表于 2024-9-24 17:20

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采用光耦做H桥的驱动,光耦的导通时间需要考虑到,先导通下桥,再导通上桥。

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这个也怀疑过,试过把下桥常开只控制上桥,波形基本没变化  详情 回复 发表于 2024-9-24 17:17

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纯净的硅(中级)

还是第一看到用光耦作放大器的,相当是个小功率三极管的。在桥式放大器里面,四个光耦的参数要匹配一致,对元器件的性能要求很高的。四个光耦及相关的驱动三极管都要求参数匹配,相关的元件都要精挑细选了。

在三极管组成的桥式放大器里面有个交越失真,就是三极管导通瞬间的波形失真了。这个光耦的也应该有。

负载正负端的波形基本一致了,就是两个驱动端信号是一致的,这两个驱动信号应该是反相的,

 

 

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我的光耦不是做放大器的啊,只是做开关用  详情 回复 发表于 2024-9-24 17:16

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纯净的硅(中级)

你的输出波形是个方波还是普通的模拟波形呢,就是你的工作 方式是开关式的放大方式还是乙类放大的方式呢

有专门的音响信号放大器的专门介绍这样的放大器的。

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一粒金砂(中级)

振动试验仪器 发表于 2024-9-24 16:57 还是第一看到用光耦作放大器的,相当是个小功率三极管的。在桥式放大器里面,四个光耦的参数要匹配一致,对 ...

我的光耦不是做放大器的啊,只是做开关用

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beyond_笑谈 发表于 2024-9-24 16:48 采用光耦做H桥的驱动,光耦的导通时间需要考虑到,先导通下桥,再导通上桥。

这个也怀疑过,试过把下桥常开只控制上桥,波形基本没变化

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振动试验仪器 发表于 2024-9-24 16:42 示波器波形图片上的负载正负端是 电路图上H桥放大器上的 OUT1A  OUT1B 吗, H 桥放大器的两个输出 ...

放大?我没有用光耦放大啊,H桥只是控制导通方向,下面是可控恒流源啊,整个电路的作用是让负载在恒流模式下工作,但是OUTA和OUTB的压差有尖刺是不符合设计要求的,这里就没有放大的问题啊

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led2015 发表于 2024-9-23 23:54 优化H桥的控制逻辑和时序设计,确保控制信号的同步性和一致性。 选择响应时间更快、性能更稳定的光耦 ...

感谢你的建议,实际上这些我都做过了,但是基本没效果,只要使用PWM波控制光耦导通,那AB两端压差就一定会有尖刺,我也很头疼这个事

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hahajing 发表于 2024-9-23 13:01 光偶驱动端加数字电路保持输出时序稳定

是有三极管做放大提升驱动能力的

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OUT1_A 和 OUT1_B之间的负载是什么?阻性负载还是感性负载?

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目前用的就是纯电阻负载  详情 回复 发表于 2024-9-26 11:27

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纯净的硅(中级)

TLP188(TPL,E规格参数

参数名称 属性值
通道数 1
电压 - 隔离 3750Vrms
电流传输比(最小值) 50% @ 5mA
电流传输比(最大值) 600% @ 5mA
打开 / 关闭时间(典型值) 3µs,3µs
上升/下降时间(典型值) 2µs,3µs
输入类型 DC
输出类型 晶体管
电压 - 输出(最大值) 350V
电流 - 输出/通道 50mA
电压 - 正向(Vf)(典型值) 1.25V
电流 - DC 正向(If) 50mA
Vce 饱和值(最大值) 400mV
工作温度 -55°C ~ 110°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-SOIC(0.179",4.55mm 宽),4 引线
供应商器件封装 6-SO,4 个接脚
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纯净的硅(中级)

是不是光耦的响应频率低了,通断的时间长了,选更高工作频率的光耦,就可以减小两个输出间的延迟时间,这样输出间的电压峰值也可以减小了。TLP188的开关时间是3uS ,

 

打开 / 关闭时间(典型值) 3µs,3µs
上升/下降时间(典型值) 2µs,3µs
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