MOS管和IGBT怎么由栅极控制进入饱和区？

乱世煮酒论天下

MOS管和IGBT怎么由栅极控制进入饱和区？ [复制链接]

半桥输出电路，分别用MOS管和GBT作为主回路功率器件，这种结构是上下交替导通的；从MOS管和IGBT的伏安特性曲线、转移特性曲线以及半导体材料特性，是怎么由栅极电压控制MOS管和IGBT进入饱和区的，我的意思是怎么完全由栅极电压控制MOS管和IGBT进入饱和区的，因为从IGBT关断状态CE上承担的是很大的母线电压，按照转移特性MOS管和IGBT是在有源区的，可是后来为什么进入了饱和区？

maychang

【MOS管和IGBT怎么由栅极控制进入饱和区？】

先把模拟电路中三极管（双极型）电阻作为负载的阻容耦合放大电路看明白，你的问题自然解决。

ruyi1pei2003

由于基极受过大电压，造成电子受激过放

qwqwqw2088

MOS管，漏源电压Vds增加到一定时，导电沟道完全形成，MOS管进入饱和区
IGBT管，集射极电压Vce增加到一定时，IGBT进入饱和区

 

qwqwqw2088

当关断过程中，对于MOS管DS、或对于IGBT管的CE之间是会承受很大的母线电压，

但，栅极电压的增加，进入饱和区，漏极电流（MOS管）或集电极电流（IGBT）主要由栅极电压控制，而不是由DS或CE之间的电压控制的。

qwqwqw2088

如水龙头在关闭时，如果进水有足够的压力，通常不会导致水龙头无法打开

如却因进水管道的水压超过了水龙头的推荐工作压力打不开，那是水压系统设计与水龙头不匹配。

类似，如选择的MOS管耐压与系统电源不匹配，那是MOS管参数选择问题了

led2015

当栅极电压Vgs足够大（大于Vth），且漏源电压Vds也足够大时，MOS管会进入饱和区

振动试验仪器

当栅极电压Vgs足够大（大于Vth），漏源电压就是0时，DS极间仍然是导通的。

如当Vds=200V时，而Vgs=15V时，管子就不能完全导通了。

乱世煮酒论天下

振动试验仪器 发表于 2024-9-22 22:38 当栅极电压Vgs足够大（大于Vth），漏源电压就是0时，DS极间仍然是导通的。 如当Vds=200V时，而Vgs=15V时 ...

还是以半桥驱动为例，下桥在开通之前DS电压很高，驱动电压一般不超过20V，为什么会进入饱和区？

lansebuluo

栅极电压增大，会从放大区进入饱和区，从而使管子完全导通

beyond_笑谈

可以了解一下MOSFET和IGBT从截止到导通的完整过程，饱和区即为导通