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五彩晶圆(初级)

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高低侧电流检测的区别以及地弹的影响? [复制链接]

一条回路的两条支路分别存在着自感以及存在互感,而且两条支路电流大小相等方向相反;

以其中一条支路为例,电流在这条支路流过产生自感,以及另一条支路产生的互感相叠加形成最终的磁通量,N=Nb-Nab=(Lb-Lab)I;(Lab表示路径a对b的互感)

当相邻电流方向相反时,如果回路的两条支路的其中一条是另一条的返回电流路径时,有效电感决定了回路电流变化时支路两端感应电压的大小,如果第二条路经是返回路径,则称在返回路径产生的电压为地弹,Vb=(Lb-Lab)dI/dt;

有几个问题,一条回路两条信号路径互为回路,所以说地弹是否可以理解为在两条信号路径上都会产生,还是只认为在返回路径上产生的电感电压为地弹?

之前看到过电流的检测分为高端和低端检测两种,低端检测的缺点就是会在地端产生地弹,但是高端电流检测为什么不会产生地弹?

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低端除非采用差分运放电路设计,并且在电路板PCB layout时对地信号进行分割,否则参考点就是GND。   详情 回复 发表于 2024-9-2 13:19
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沙发
 

高端检测用隔离放大器或光耦合器,可隔离高压部分和低压控制电路,避免地线上的噪声和干扰影响。
 

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高端检测的参考地是高压侧的参考地,而不是低压侧的地线,不会受到地线电位变化的影响。

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一粒金砂(中级)

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如果是非隔离 高端电流检测是通过可耐受高共模电压的放大器进行检查,两根线参考地依然是地线,不过有效信号为两信号差值,地弹回同时影响两个信号电平,但是其差值中会抵消共模信号,只放大差模信号
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低端也是使用的差分放大器电路进行检测,单电源供电偏置一半的分量,区别在于共模抑制比,低端检测可能共模抑制比小一些,问题在于低端检测工模噪声也很大,远超理论上的在电阻上的电压降。  详情 回复 发表于 2024-9-2 09:23
 
 
 
 

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五彩晶圆(初级)

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POWER_BB 发表于 2024-9-2 09:04 如果是非隔离 高端电流检测是通过可耐受高共模电压的放大器进行检查,两根线参考地依然是地线,不过有效信 ...

低端也是使用的差分放大器电路进行检测,单电源供电偏置一半的分量,区别在于共模抑制比,低端检测可能共模抑制比小一些,问题在于低端检测工模噪声也很大,远超理论上的在电阻上的电压降。

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高端电流采集是采用差分方式(差分运放电路),所以可以避开地信号的影响
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低端也应该是差分放大吧,为什么低端检测就会出现这个问题?地弹!  详情 回复 发表于 2024-9-2 13:03
 
 
 
 

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五彩晶圆(初级)

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低端除非采用差分运放电路设计,并且在电路板PCB layout时对地信号进行分割,否则参考点就是GND。  详情 回复 发表于 2024-9-2 13:19
 
 
 
 

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是差分运放,以负母线为0设置的一路单电源供给单运放供电,偏置一半电源提供给运放正向输入端,同时测量低端电阻两端的电压值,就像下图参数没有调整 [attachimg]839650[/attachimg]    详情 回复 发表于 2024-9-4 14:51
 
 
 
 

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