有奖电源小课堂 | PI 1250V高压氮化镓芯片

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有奖电源小课堂 | PI 1250V高压氮化镓芯片 [复制链接]

硅材料一直是半导体器件中最主要的材料基础，但正在逐渐达到其物理极限。在某些领域限制了配备硅功率组件的设备的紧凑程度，在非常高的电压、温度和开关频率下，GaN与硅相比具有更优越的性能，而全球领先的电源管理元件和方案的供应商PI公司推出高压GaN器件更适用于工业和家电类的应用需求，有助于实现高紧凑度的反激式电源设计。本视频简要介绍第三代半导体材料以及PI公司推出的1250V PowiGaN器件及其性能优势。

 

Jacky Yu，本硕均毕业于西安交大微电子专业，深耕半导体芯片行业十几年，半导体器件及芯片设计方向经验丰富，知乎、b站、公众号等自媒体精准粉丝五万。

 

活动时间：即日起—9月30日

参与方式
1. 点击进入>> 【活动页面】，认真观看活动页面视频，倾听一线工程师干货经验分享；
2. 点击活动页面“我要答题”按钮，答题并提交即可（答案在视频中寻找）；
3. 活动结束后，我们将从全部答对的参与者中，抽取幸运者发送【京东卡】。
 

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