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MOS管构成的电流源和电流漏 [复制链接]

本帖最后由 乱世煮酒论天下 于 2024-8-24 19:03 编辑

电流漏有一个负电压,电流源有一个正电压。

MOS管必须处在恒流区才能作为一个好的电流源,这要求电流漏的端电压必须大于最小电压Vmin才能使电流漏正常工作;同理用PMOS管实现的电流源,栅极和源极接恒定的电压,源漏电压必须大于最小电压Vmin才能使电流源正常工作

这是理论上的电流源和电流漏,在实际应用上有所改进,一是增加小信号输出电阻,在Vout变化范围内使电流输出不变,二是减小Vmin的值。

增加小信号输出电阻可以在源极增加电阻实现,但是在两个晶体管串联时把上面晶体管衬底接地是什么原理?是指上面那个晶体管的栅极是直接对地,进而进行计算的作用吗?

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Jacktang 发表于 2024-8-25 07:21 你1楼的描述中,别给大家误解, 需要来澄清一些概念: 楼主所说,“电流漏”和“电流源 ... 【好像,我们不称其为“电流漏”】 【电流漏】是楼主自创的名词。   详情 回复 发表于 2024-8-25 10:50
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再由电流源和电流漏构成的电流镜,电流镜遵循的原理是如果两个相同MOS管的栅源电压相等,那么其沟道电流也应该相等,但是分析电流镜左边是一个MOS二极管,漏极和栅极接到一起,怎么分析出上面电流源流到MOS管漏极和栅极的电压呢?

MOS管等效为栅极电压控制的电流源和输出内阻并联,上面再接入一个电流源,由基尔霍夫定律,栅极电压是由MOS管的跨导倍数和内阻决定,再根据这个MOS管的传输特性曲线判定其流过电压电流大小?

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【MOS管等效为栅极电压控制的电流源和输出内阻并联,上面再接入一个电流源,由基尔霍夫定律,栅极电压是由MOS管的跨导倍数和内阻决定,再根据这个MOS管的传输特性曲线判定其流过电压电流大小?】 MOS管的开启电压  详情 回复 发表于 2024-8-25 09:15
【但是分析电流镜左边是一个MOS二极管,漏极和栅极接到一起】 双极型三极管的集电极和基极接到一起,把这个双极型三极管看成一个二极管,还差不多。MOS管漏极和栅极接到一起,无论如何也不能看成是一个二极管。  详情 回复 发表于 2024-8-25 09:14
基尔霍夫定律可以用来分析电路中的电流和电压关系。 在电流镜中,用基尔霍夫电流定律和电压定律,可以确定MOS管的栅极电压。  详情 回复 发表于 2024-8-25 07:27
 
 
 

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你1楼的描述中,别给大家误解,

需要来澄清一些概念:
楼主所说,“电流漏”和“电流源”可能是指MOS管就是金属-氧化物-半导体场效应晶体管,在不同工作模式下的表现。
好像,我们不称其为“电流漏”,而是根据其工作状态称为NMOS管或PMOS管作为电流源或负载。

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【好像,我们不称其为“电流漏”】 电流漏】是楼主自创的名词。  详情 回复 发表于 2024-8-25 10:50
 
 
 

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乱世煮酒论天下 发表于 2024-8-24 22:43 再由电流源和电流漏构成的电流镜,电流镜遵循的原理是如果两个相同MOS管的栅源电压相等,那么其沟道电 ...

基尔霍夫定律可以用来分析电路中的电流和电压关系。

在电流镜中,用基尔霍夫电流定律和电压定律,可以确定MOS管的栅极电压。

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乱世煮酒论天下 发表于 2024-8-24 22:43 再由电流源和电流漏构成的电流镜,电流镜遵循的原理是如果两个相同MOS管的栅源电压相等,那么其沟道电 ...

【但是分析电流镜左边是一个MOS二极管,漏极和栅极接到一起】

双极型三极管的集电极和基极接到一起,把这个双极型三极管看成一个二极管,还差不多。MOS管漏极和栅极接到一起,无论如何也不能看成是一个二极管。

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乱世煮酒论天下 发表于 2024-8-24 22:43 再由电流源和电流漏构成的电流镜,电流镜遵循的原理是如果两个相同MOS管的栅源电压相等,那么其沟道电 ...

【MOS管等效为栅极电压控制的电流源和输出内阻并联,上面再接入一个电流源,由基尔霍夫定律,栅极电压是由MOS管的跨导倍数和内阻决定,再根据这个MOS管的传输特性曲线判定其流过电压电流大小?】

MOS管的开启电压,就是这样测量出来的。

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Jacktang 发表于 2024-8-25 07:21 你1楼的描述中,别给大家误解, 需要来澄清一些概念: 楼主所说,“电流漏”和“电流源 ...

【好像,我们不称其为“电流漏”】

【电流漏】是楼主自创的名词。

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