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五彩晶圆(初级)

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IGBT的导通关断时间一般是多少为合适? [复制链接]

看了一个15kW的变频器用的模块是50A的,测量驱动导通电压是14.5V,关断电压是-9.5V,上升下降时间小于200ns时间很短,软件设置的死区是3us,因此在开通关断阶段有一点振铃和过冲,比较小,正常启停没有问题,比较短的开通关断时间虽然能加快IGBT的开关速度,导致开关损耗降低,但是较短的开关时间很有可能会引起驱动波形震荡振铃等,请问对于不同大小的IGBT其开通关断时间一般建议是多少,有什么推荐参考?一个比较合适的驱动波形是什么样的,其上升下降时间过冲值等?

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  IGBT的速度是很慢的,相较MOS来说,200ns已经是很慢了。另外IGBT本质上是MOS和三极管组合的复合型器件,物理结构上就导致了关断的拖尾电流。拖尾电流的存在大幅降低了关断时dI/dt,大幅减小了震荡的发生。也因此IGBT还需要做负压关断,否则拖尾电流持续时间太长的话影响效率和死区,也影响关断的可靠性。  至于驱动频率,早期的IGBT一般极限做到18-20k的驱动,最新几代英飞凌有更高速度的IGBT。具体要做多大频率依然是要取决于所选管子的开通和关断延时+开、关的上升下降时间。   详情 回复 发表于 2024-8-2 08:55
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沙发
 

15kW的变频器,用的50A IGBT模块,导通和关断时间通常建议选在100ns到500ns之间

具体用的场合,选的数值需要根据IGBT的数据手册和实际应用需求来确定吧

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一粒金砂(中级)

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  IGBT的速度是很慢的,相较MOS来说,200ns已经是很慢了。另外IGBT本质上是MOS和三极管组合的复合型器件,物理结构上就导致了关断的拖尾电流。拖尾电流的存在大幅降低了关断时dI/dt,大幅减小了震荡的发生。也因此IGBT还需要做负压关断,否则拖尾电流持续时间太长的话影响效率和死区,也影响关断的可靠性。

 至于驱动频率,早期的IGBT一般极限做到18-20k的驱动,最新几代英飞凌有更高速度的IGBT。具体要做多大频率依然是要取决于所选管子的开通和关断延时+开、关的上升下降时间。

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