（Ruichips锐骏）RU20D12H 电压20V/12A，采用超高密度单元设计

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（Ruichips锐骏）RU20D12H 电压20V/12A，采用超高密度单元设计 [复制链接]

锐骏半导体推出一款采用SOP-8封装的N沟道高级功率MOSFET RU20D12H，该器件具有坚固可靠、无铅、绿色环保并符合RoHS标准等特点，适合用于电源管理。

 

特点

20V/12A

R_{DS (ON)} =26mΩ(典型值)@V_GS=4.5V

R_{DS (ON)} =38mΩ(典型值)@V_GS=2.5V

超低漏源导通电阻

超高密度单元设计

可靠且坚固耐用

器件无铅、绿色环保（符合RoHS标准）

 

应用

电源管理

 

 

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