2

帖子

0

TA的资源

一粒金砂(初级)

101
 
1、面对市场上众多的MCU产品,选型时需考虑性能、功耗、成本、开发生态等多方面因素。各家产品协议各有不同,开发流程复杂。同时不同的MCU可能需要不同的软件平台和工具链,这对工程师不断学习和适应的能力有很大要求。 2、开发底层驱动需要深入理解硬件特性和寄存器配置,这既耗时又容易出错。建议使用成熟的硬件抽象层(HAL)和CMSIS库来简化开发  3、安全功能的集成:随着物联网设备安全问题日益突出,MCU需要集成更多的安全功能。现有的具备安全功能的MCU,如带有AES引擎、TRNG和安全引导的芯片,随着安全需求的提升也需要逐步升级。 4、实时性和稳定性问题:在工业控制和汽车电子等对实时性要求极高的领域,MCU的实时性能和稳定性尤为重要。严苛的要求下,对MCU本身和开发工程师都是极大的挑战。
 
 

回复

3

帖子

1

TA的资源

一粒金砂(中级)

102
 

芯片选型方面,能有图形化的界面方便工程师根据芯片板载外设资源进行初筛效果比较好.

 

针对不同软件平台,目前大方向在朝着图形化配置底层参数的方向前进,这种战略布局使得软件工程师不必去详细阅读多达上百页的芯片datasheet,可以将更多的精力集中在应用层代码的开发工作,同时也方便代码在不同厂家芯片之间的迁移工作.降低耦合性.

 

芯片底层驱动,建议建立硬件抽象层,寄存器基本上大同小异.

 

加密的话,要在防解密上下功夫,在芯片band的时候多关注离电源引脚较近的GPIO,防止EMI导致IO电平翻转.

 
 
 

回复

7608

帖子

18

TA的资源

五彩晶圆(高级)

103
 

最大的问题还是稳定性吧,芯片一旦出了问题,那真是叫天天不应

个人签名

默认摸鱼,再摸鱼。2022、9、28

 
 
 

回复

10

帖子

0

TA的资源

一粒金砂(初级)

104
 
找了好久
 
 
 

回复

37

帖子

0

TA的资源

一粒金砂(中级)

105
 

MCU选型主要问题:

首先是外设资源要方便查看对比,需要的外设资源是否足够。

再就是开发工具是否容易上手,开发库SDK和demo例子是否容易应用。

最后就是开发遇到问题,能有技术支持。

 
 
 

回复

76

帖子

0

TA的资源

一粒金砂(中级)

106
 

作为一名硬件工程师,在使用MCU时,有几个问题总是比较困顿:

1. MCU的选型:选型的话主要就是注意时钟主频,内存,外设接口,GPIO数量等方面,最小系统大差不差。但作为一名硬件工程师,对于主频,内核和内存到底选什么规格的一直有些不太明了如何选择;

2. 硬件看门狗的使用:对于那些没有set引脚的看门狗芯片,在烧录的时候只能断掉WDO来使用,烧完了在焊接上,麻烦啊;

3. 对于SWD接口,MCU内部明明有上下拉电阻,为什么在设计的时候还要推荐再外加?我不外加也可以正常烧录,那外加的目的主要是什么?

4. 国产某些MCU啊,资料少且乱,甚至不开放,难用的很。

就写这些吧,MCU还需要好好学习,多多了解。

 
 
 

回复

9

帖子

0

TA的资源

一粒金砂(中级)

107
 

1.先简单做一下自我介绍吧,自己从事硬件开发目前8年了,一开始是做消费电子,后来机缘巧合之下转行到了汽车电子,目前在某Tier1从事VCU控制器的研发工作,之前分享了静电整改的经验,借着这次活动就再分享一下MCU应用中的IO口因为ESD测试而发生损坏的问题分析以及整改方案吧。

2.问题描述:VCU控制器在静电ESD测试时,上电模式下,对某输入信号的线束,进行刺破线束绝缘层,并针对刺破点进行15KV空气放电,会导致MCU IO口损坏,具体表现是IO对地短路。

3.分析过程:

a.该款MCU是某国产车规级MCU,这个项目基于国产化的需求第一次选用此国产车规级MCU,发生问题的IO口是用作输入信号检测,我又连续以相同方式测了多个输入信号,发现对应的MCU IO都发生了损坏,但是输入信号拓扑电路是固定的,很多项目都用了,从来没在ESD测试中出现过这种问题,所以觉得大概率是此型MCU是不是自身静电能力不达标导致的,那么目前就只有两种方案:

方案1.换掉该型MCU,重新选一款

方案2.调整输入电路的器件参数

方案1简单粗暴,但是换MCU意味这前期做的很多软硬件的工作都会白做,因此还是先尝试一下方案2吧。

b.静电防护一般有两种选择,一种是用TVS二极管防护,另外一种是采用静电电容防护,目前我们采用的方案是静电电容防护,成本比较低,同时电容封装也小,少占用PCB面积,静电电容容值越小,那么和静电干扰源分压后的电压就越高,也就是在静电测试时IO的电压就越高,所以首先我尝试增大电容容值,目前电容是22nF,当容值增大到100nF时,发现问题不复现,但是由于容值过大会降低采样信号的准确度,因此改成了TVS方案,TVS方案也能解决此问题。

c.其次是最后经过和厂家确认,发现此型号MCU IO口无集成钳位二极管(成本会更低),所以在面对静电干扰时,易发生损坏。

4.总结:

静电问题一般分析路径比较明确,同时也提醒我在选型时需要注意IO口是否集成钳位管,不能单纯考虑成本,毕竟MCU的钱是省下一部分,但是电容或TVS的钱又增加一部分,还是不太划算的。

 
 
 

回复

978

帖子

0

TA的资源

一粒金砂(中级)

108
 

0.能提供中文资料吗,拜托了

1.丰富的库文件的提供;

2.多种传感器的整合入MCU;

3.图形化的编程模式;

4.较多的仿真工具接口;

5.便宜的价格;

6.外围器件少。

 
 
 

回复
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

随便看看
查找数据手册?

EEWorld Datasheet 技术支持

相关文章 更多>>
关闭
站长推荐上一条 1/9 下一条

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 安防电子 汽车电子 手机便携 工业控制 家用电子 医疗电子 测试测量 网络通信 物联网

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2025 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
快速回复 返回顶部 返回列表