上电后FLASH地址0，代码开始在0地址处运行-〉执行重映射将FLASH映射到0x7F000000，将SDRAM映射到0。跳转到0x7f000000+偏移量处运

springmorn

上电后FLASH地址0，代码开始在0地址处运行-〉执行重映射将FLASH映射到0x7F000000，将SDRAM映射到0。跳转到0x7f000000+偏移量处运 [复制链接]

上电后FLASH地址0，代码开始在0地址处运行-〉执行重映射将FLASH映射到0x7F000000，将SDRAM映射到0。跳转到0x7f000000+偏移量处运行，会没有效果？看到书上说在这映射和跳转执行之间需要IMB，请大家指教指教

xgs_ht0033

你这个过程写的不清不楚的……

要做到程序在地址remap前后连贯执行，至少要把映象复制一份到sdram里从0地址开始的地方吧？

wufei_83

其实问题是remap前和后执行的代码是一个汇编文件里面的

yuzhibing

不知道是不是我理解有问题，我怎么看不懂你想问什么呢？？

h_g_y

我也没明白怎么回事.

scliujun

一旦硬件设计好了，存储器被映射的地址是不可以重新设置的。

一般的设计是：
FLASH地址空间：0x0-0x* 要看你的flash大小，或者多片flash。
SDRAM地址空间：0xC000000-0x* 还是要看你的SDRAM大小。

上电后，首先从0x0处加载代码并引导执行（片外启动方式）。
代码一般会将FLASH中的0x0-0x40000(bootloader代码)复制（映射）
到SDRAM中的0xC700000开始处，然后运行bootloader。

happepipi

存储器映射地址确实是可以更改的，例如arm芯片就是典型的例子。
在arm芯片系统中，起始时刻flash被映射到0地址开始的空间中（bootloader就在flash中）。之后由于中断表要放在0地址处，因此必须把sdram给映射到0地址处，同时把flash地址“挪”到高地址去。在设计这个过程的时候，如果不想复制启动映象，还要用到arm的三级流水线的特性才行。

louislen

“一旦硬件设计好了，存储器被映射的地址是不可以重新设置的。”
我说错了，应该是：
“一旦硬件设计好了，存储器的地址是不可以重新设置的。”
为了加快访问速度，一般需要把Flash数据映射到SDRAM中，
以后如果要读Flash，就可以直接读SDRAM中映射的地址就可以了。

lwsdzgcsj

楼上这位说的应该是另一个意思吧，你的这个“把flash数据映射到sdram中”其实就是把flash数据复制一份到sdram吧？

但是我们说的“映射”是指改变flash或sdram的物理地址哦，这是由cpu提供的功能。

lg7412374123

哦，我知道了，需要芯片支持才行。
我用过三星的S3C44B0X，不知道有没有这个功能？

mel1207

回复人：yzx1983(捕风捉影) ( 一级(初级)) 信誉：100         2007-5-15 23:51:45         得分:0
?        

存储器映射地址确实是可以更改的，例如arm芯片就是典型的例子。
在arm 芯片系统中，起始时刻flash被映射到0地址开始的空间中（bootloader就在flash中）。之后由于中断表要放在0地址处，因此必须把 sdram给映射到0地址处，同时把flash地址“挪”到高地址去。在设计这个过程的时候，如果不想复制启动映象，还要用到arm的三级流水线的特性才行。


就是这样的，我的ARM可以指定FLASH，SDRAM为任意0-ffe00000内的地址
stmia r0, {r1,r6}
mov pc, lr
ldr r0, =xxxx
你说要用的ARM的三级流水线的特性也是的。就是我一句 STMIA r0, {r1,r6}完成所有地址的重新映射后，下句话就是 mov pc, lr(lr是前面计算好的重新映射后的一个地址,也就是ldr r0,=xxx),照说mov pc, lr已经被预取了,应该被正确执行才对.但是事实是PC的值并没有被改变.
现在我将stmia r0, {r1-r6}, mov pc, lr 锁到cache中就可以了.

Codemaster

你flash里面程序编译是否用的绝对地址？

雪莱

是呀，绝对地址就是重新映射后的地址。