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五彩晶圆(初级)
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IGBT栅极的下拉电阻要靠近栅极放置,作用是给IGBT寄生电容Cge放电,那么这个电阻一般选择多大?
IGBT的栅极加一个稳压二极管,是为了防止寄生电容Cgc在IGBT关断的时候(集电极电压耦合到栅极),栅极过压就会损坏,请问这个寄生电容Cgc电容耦合到栅极的过程是怎么样的?稳压管一般选择是20V的,应该是IGBT栅极承受电压就是20V。
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实际电路中,电阻的值通常在几欧姆到几十欧姆之间。
具体选择哪个值,要看 IGBT的数据手册、应用环境和电路要求来确定。
建议在设计电路之初,比如前期打样电路3-5块板,进行小批量试验时,就应该确定
比如进行一些仿真和测试,就可以确定最佳的电阻参数值和其他参数值。
qwqwqw2088 发表于 2024-6-17 08:56 实际电路中,电阻的值通常在几欧姆到几十欧姆之间。 具体选择哪个值,要看 IGBT的数据手册、应用环境和 ...
你说的这个几十欧的电阻是串在栅极的吧,用来防止栅极电容和引线电感引起的串联谐振,如果是并在栅极和射极之间的电阻应该是比较大的吧?
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纯净的硅(中级)
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IGBT或MOSFET管的栅极与地之间的下拉电阻一般是10K以内,2.2K以上,并联的稳压管是1N746A,稳压值是18V,驱动电压一般用15V的多,小的话电压是12V了。
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