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一粒金砂(中级)
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2024-6-11 15:14 上传
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超级版主
2万
【那G端控制的意义在哪里?】
MOS管内部寄生二极管的正向压降和普通二极管是一样的。
P沟MOS管导通后,其管压降远比内部寄生二极管正向电压小。
版主
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这是一个双电源供电切换电路,CJ3401的内部二极管压降是大于B5817的(肖特基二极管压降低)。所以USB接入后,电流是从B5817流过的
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2024-6-11 17:01 上传
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无论是P沟道,还是N沟道,G极电压都是与S极做比较的 P沟道,Ug小于Us导通,
VUSB断开后,PMOS的G端通过电阻R1被下拉到GND,G低于S端了,满足导通条件
上个仿真图可以更直观的看出来这个电路的特点。通过R3 和 R4的电流跟负载R2的电流对比,可以看出来如果USB和BATT同时供电,实际上的电流回路。MOSFET没有找到spice module,找了一个类似的代替
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从下面的仿真图,可以看出肖特基二极管的正向导通压降大约是0.26V
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2024-6-11 20:01 上传
五彩晶圆(初级)
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如果把D、S端反过来接,你会发现,效果一样的
纯净的硅(初级)
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se7ens 发表于 2024-6-13 10:39 如果把D、S端反过来接,你会发现,效果一样的
你是怎么发现的?
不亦心 发表于 2024-6-13 21:55 你是怎么发现的?
很好理解啊,看下PMOS的导通特性就知道了,但是建议还是D端接电池,这样的话可以防止在VBUS供电时会给电池充电,导致电池过充损坏
se7ens 发表于 2024-6-14 14:55 不亦心 发表于 2024-6-13 21:55 你是怎么发现的? 很好理解啊,看下PMOS的导通特性就知道了,但是建 ...
你自己都发现了DS不能随便颠倒,为什么还要误导颠倒也是一样的
不亦心 发表于 2024-6-15 09:40 你自己都发现了DS不能随便颠倒,为什么还要误导颠倒也是一样的
只是建议,并不是不可行,你自己没有想到吗,有的电池是带有保护板的
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