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五彩晶圆(初级)

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一电表,把总用电量存储在FLASH中,而FLASH擦写的寿命只有10万次,请问如何处理 [复制链接]

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一电表,要求把总用电量存储在FLASH中,要求能记录到100成度电,而FLASH擦写的寿命只有10万次,这个总用电量每用0.1度,就要往FLASH存储器中存储一次,以防电表断电,导致数据对不起来,请问如何处理

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利用超出数据本身尺寸的存储器空间去循环写入,在半导体存储设备中,这种方法是必须的,即所谓的“均衡算法”。 如果FLASH的空间不足以实现循环写入,那就采取RAM+FLASH策略,即平时的数据记录仅存放于RAM中,在系统掉电时才转存至非易失存储器中。这个方法在过去很常见,但FLASH价格暴降后就基本放弃了,因为该方法要实现高度的可靠性,对编程和系统设计的要求均较高。   详情 回复 发表于 2024-1-15 14:14
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沙发
 
本帖最后由 damiaa 于 2024-1-5 16:57 编辑

搞两个块,写N次擦除一次,用软件算法实现N倍擦除次数。

上次搞MSPM0L1306的评测活动的时候分析了它的一个flash当eeprom的模型:

https://bbs.eeworld.com.cn/thread-1262867-1-1.html 你可以了解一下,看看对这个的理解有没有帮助。

 

如果是eeprom就没这么复杂,你可以开辟N个存储位置就可以实现N倍的存储(还是要带个递增的编号,这样就知道你最后的写的数据是哪一个)。

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你就往里写 每隔一段时间删一次,动态均衡flash自己会去搞
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你放到内存里,写个电压监控程序,低电压就写进flash,重启时读出来。
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循环写,最后快写满了擦一次,越长寿命也可以曾加

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在爱好的道路上不断前进,在生活的迷雾中播撒光引

 
 

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利用超出数据本身尺寸的存储器空间去循环写入,在半导体存储设备中,这种方法是必须的,即所谓的“均衡算法”。

如果FLASH的空间不足以实现循环写入,那就采取RAM+FLASH策略,即平时的数据记录仅存放于RAM中,在系统掉电时才转存至非易失存储器中。这个方法在过去很常见,但FLASH价格暴降后就基本放弃了,因为该方法要实现高度的可靠性,对编程和系统设计的要求均较高。

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个人签名上传了一些书籍资料,也许有你想要的:https://download.eeworld.com.cn/user/chunyang
 
 

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