mosfet的DS电压和G极电压的关系是什么

bigbat

mosfet的DS电压和G极电压的关系是什么 [复制链接]

 

这是我从网上找到的一张MOSFET的结构图，电路图中的Q1是N沟道MOSFET晶体管，DS之间的电压是+24V，该MOSFET的Vds的最大耐压是30V，Vgs开启电压是1.2V

现在我用MCU的GPIO引脚3.3V的电压控制该Q1的开启。当GPIO为低电平0V时和3.3V时引脚GPIO的电压V是多少。

我的分析是0V时，

1、GPIO接GND ，S接GND，D接24V

GPIO与Q1的G极相联，G极和S是接GND的，这时G和S都是GND，GPIO的引脚是GND 0V，DS可以看作一个阻值巨大的电阻，GD可以看作一个阻值巨大的电阻，DS的电压是24V，由于R2和R3是串联关系，GPIO的电压很小，应该不会出问题。

 

2、GPIO接入3.3V，S接GND，D接24V

R2的电阻很大，R3的电阻较小，GPIO的电压应该是24-3.3=20.7V的样子，是不是如果GPIO的结构耐压不够，是不是就会把MCU烧坏。

   

maychang

看不懂两幅图中R1、R2、R3是什么意思。

MOS管的门极（G），与漏极（D）和源极（S）之间是绝缘的。你用万用表电阻档量一下MOS管门极与源极、门极与漏极之间的电阻就知道了。

maychang

第一幅图，左上角MOS管符号并没有表示出功率MOS管体内寄生二极管，但下面接近中间的MOS管符号有体内寄生二极管。由于这个二极管存在，用万用表电阻档测量功率MOS管漏极与源极之间的电阻，正向和反向是不同的，正如万用表电阻档测量二极管正向反向电阻数值不同一样。

maychang

第一幅图中，无论是左上角还是下面的MOS管符号，门极（G）与源极漏极都没有关系，门极与MOS管导电沟道之间画得好像是个电容一般。这正是MOS管的特性：门极与导电沟道之间是个电容。此电容耐压比较低，通常生产厂家保证能够承受20V电压，我实测这个电容击穿电压大约30V弱。

wang12011201

MOSбMOS

MrCU204

三极管，都是跨导器件，都是反相器件。

wang12011201

不是很懂，左上角MOS管符号并没有表示出功率MOS管体内寄生二极管，但下面接近中间的MOS管符号有体内寄生二极管

wang12011201

“左上角MOS管符号并没有表示出功率MOS管体内寄生二极管，但下面接近中间的MOS管符号有体内寄生二极管” ？？ 啥意思？