为什么要用4H-SiC？

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SiC有大约250种晶体类型，而常见的有3C、4H、6H。但发现大家最关注的是4H-SiC，关于它们之间的电学性质有什么差异（尤其在电阻率方面）？

 

SiC单晶差不多有200种同分异构体，其中最常见的有3C, 4H, 6H结构，每种结构都有自己适合的应用领域，不存在哪种更受关注。是在大功率器件领域4H SiC比较受关注吧。这是因为，实际生产中，3C-SiC并不稳定，在高于1900-2000℃高温下会转变为六方SiC多型体。3C-SiC这种不稳定性使得它很难以一个合理的速率生长大的3C-SiC晶锭，所以3C SiC 目前还没有体单晶可以做衬底，所以3C SiC 可以用来制造高频薄膜器件，而不是功率MOS。现在我们来比较一下4H和6H SiC。

 

从下表参数看，4H SiC本征载流子浓度和电子迁移率都比6H SiC高很多。更高的电子迁移率un，可以得到更高的电流密度，或者相同电流密度的情况下，得到更低的导通电阻。而且4H VDMOS的开关速度比6H SiC电压上升时间更短，因此开关速度更快，更适合做为功率半导体的材料使用。