低噪声放大器
低噪声放大器用于放大级的输入电路中,用于在有限频带内与噪声混合的小信号。NF小于5 dB的放大器通常被认为是低噪声放大器。对于毫米波范围(频率大于 30 GHz)的放大器,它们可能被认为是低噪声的,NF 小于 15 dB。NF的可实现值在很大程度上取决于放大器的高截止频率f高、输出功率P输出1dB和环境温度。表I列出了一些固有噪声水平较低的型号的特性。
高动态范围放大器
在微波放大器中,信号电平增长的非线性现象是不可避免的。如果信号在相位、频率或幅度上被调制;然后,由于三阶和五阶的互调失真,频谱分量出现在工作频带中,这些分量在频率滤波的帮助下无法在进一步的阶段消除。动态范围可以表征为P值的量out IP3超过固有噪声水平;因此,为了扩展动态范围,可以降低固有噪声水平(即NF),同时增加Pout IP3.线性品质因数
LFOM = PoutIP3/Pout1dB (9)
被制造商用来比较各种微波放大器的线性度。一些高动态范围放大器的参数如表二所示。
固态功率放大器
将放大器识别为低功率、中功率或高功率是模棱两可的:有必要考虑工作频率和给定的制造技术。此外,对于高功率放大器,开发人员经常会因效率而受到限制。对于高功率固态放大器,最重要的参数是Pout 1dB、Pout IP3和 PAE。部分中高功率微波固态放大器的参数见表三。应该注意的是,大多数制造商提供范围广泛的产品,在相同的频率下具有不同的功率水平;表中显示了最典型的示例。
宽带固态放大器
具有宽(倍频程)带宽和多倍频程带宽的微波信号放大器用于超宽带 (UWB) 通信和信息传输系统。实例见表四。
电子管放大器 - 速调管、速调管、TWT、放大器、交叉场放大器和陀螺仪放大器
对于频率范围内小于 1W 的射频功率 0.3 to 10 GHz,通常使用表面贴装或集成固态半导体技术的工程解决方案。它们提供 15 to 20 dB在单级中(级联时高达 60 dB), PAE 为 45% 至 60%,通带为 0.1 至 5 GHz,噪声系数 0.5 to 5 dB, 动态范围不小于30 至 40 dB。对于中等功率级设备,固态和微波管解决方案之间存在工程和经济上的权衡。
在复杂的信号链中,可能会发现某些级采用固态元件实现,而其他器件则采用真空管。非常高的功率和放大器和振荡器通常通过真空管微波电子设备实现。
中高功率放大器的工程要求是线性度、增益、输出功率电平、效率 (PAE)、带宽、重量和物理尺寸等参数的折衷。还必须考虑主用电源需求、风冷或水冷的手段以及在预期环境条件下(如温度、压力、湿度、冲击、振动和电离辐射)的耐用性。真空设备可以更好地满足其中一些要求。
真空功率放大器的现代多波束结构提供高和超高输出功率。管状活性元件在辐射方面表现出明显更高的耐久性。虽然传统真空管通常需要数十千伏的电源,但这会使它们在车载和卫星设备中的应用变得复杂(但不排除)。功率微波放大器的真空有源元件是多种多样的。
四极管是带有加热阴极、控制栅、抑制器栅和阳极的射频管。四极管用作信号功率的放大器,用于从直流到电子惯性成为限制的频率的输入信号频率。
在浮漂速调管中,电子惯性用于在电子束在输入腔间隙和输出腔之间传输期间聚集电子束。因此,速调管被设计为在微波范围内放大。对于单波束、双腔或多腔速调管,连续波模式下的典型输出功率值在 10% 的相对频带内以 50 至 60 dB 的增益达到 50 kW。多波束速调管在一组 8 到 36 个光束中同时利用振荡激励,其输出功率相加。
速调管或电感输出管代表了四极管和速调管的组合:输入电子流的密度与速调管一样被调制,速度与速调管非常相似。在这种设备中,PAE和线性度在高功率下基本上增加,这解释了它在分米波长的电视发射机中的广泛应用。在多波束速调管中,所需的电源电压降低,控制网格的实现变得更加容易。
行波管 (TWT) 可在 10 至 25 GHz 的频率下使用小直径慢波结构实现 200 W,PAE 高达 60%,带宽为 1 至 2 倍频程,使用寿命长达 150,000 小时。与螺旋结构相比,具有周期性慢波结构的 TWT 可实现更高的工作频率和 PAE,但频率带宽更低。在多波束TWT中,可以降低电源电压,以实现更紧凑的结构。
放大器是一种放大装置,它采用具有交叉电场和磁场的磁控管原理,通常称为交叉场放大器 (CFA)。由于输出振荡与外部窄带输入信号的频率同步,它提供了高 PAE(高达 90%)和极高的功率。
在回旋放大器中,使用空心螺旋形电子流和与行波管的连续相互作用(如在TWT中)。这在毫米波长范围内提供了高达 70% 的电子效率,并在数十秒内将功率提高到 100 kW。功率放大器的实验模型,如陀螺速调管、陀螺仪和陀螺TWT在微波和太赫兹范围内提供。
UHF范围内功率真空放大器件的参数比较见表V。
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