第4代SiC MOSFET的特点

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第4代SiC MOSFET的特点 [复制链接]

第4代SiC MOSFET的特点

 

在降压型DC-DC转换器中使用第4代SiC MOSFET的效果

 

1. 电路工作原理和损耗分析

2. DC-DC转换器实机验证

 

在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果

 

1. EV应用

2. 装入牵引逆变器实施模拟行驶试验

3. 图腾柱PFC实机评估

 

改善了短路耐受时间并实现了更低导通电阻

 

第4代SiC MOSFET通过进一步改进ROHM自创的双沟槽结构，改善了EV牵引逆变器等应用所需的短路耐受时间，与第3代SiC MOSFET相比，导通电阻降低约40%。第4代SiC MOSFET的导通电阻是业内超低*级别的导通电阻。

 

 

 

大幅降低寄生电容开关损耗更低

 

通过大幅降低栅-漏电容（CGD），成功地使开关损耗比第3代SiC MOSFET降低约50%。

 

 

支持15V栅-源电压驱动使应用产品的设计更容易

 

第4代SiC MOSFET将用来驱动MOSFET的栅-源电压VGS降至15V。到第3代SiC MOSFET时，栅-源电压VGS为18V，而第4代则支持15V驱动，这将使应用产品的设计更加容易。

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应用示例：主驱逆变器

有助于包括车载逆变器和各种开关电源在内的各种应用产品实现显著的小型化和更低功耗，比如在用于车载主驱逆变器时，与使用IGBT时相比，效率可以得到显着提升，主要体现在逆变器的高扭矩和低转速范围，从而可使电耗减少6%（按国际标准“WLTC燃料消耗量测试”计算）。