基本半导体B2M第二代碳化硅MOSFET在LLC，移相全桥型电源应用中的优势

SiCMOSFET

基本半导体B2M第二代碳化硅MOSFET在LLC，移相全桥型电源应用中的优势  [复制链接]

基本半导体B2M第二代碳化硅MOSFET在LLC，移相全桥型电源应用中的优势 

LLC谐振型开关电源以其兼具能够在全负载范围内实现原边开关管的ZVS开通,整流二极管的ZCS关断的特点和便于磁集成、输入电压范围宽等优势,在高频开关电源领域获得了广泛的关注和应用。
移相全桥(Phase-Shifting Full-Bridge Converter，简称PS FB)，利用功率器件的结电容与变压器的漏感作为谐振元件，使全桥电源的4个开关管依次在零电压下导通(Zero voltage Switching，简称ZVS)，来实现恒频软开关，提升电源的整体效率与EMI性能，当然还可以提高电源的功率密度。

LLC，移相全桥等应用实现ZVS主要和功率MOSFET的Coss、关断速度和体二极管压降等参数有关。Coss决定所需谐振电感储能的大小，值越大越难实现ZVS；更快的关断速度可以减少对储能电感能量的消耗，影响体二极管的续流维持时间或者开关两端电压能达到的最低值；因为续流期间的主要损耗为体二极管的导通损耗。B2M跟竞品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小（115pF），需要的死区时间初始电流小；B2M第二代碳化硅MOSFET抗侧向电流触发寄生BJT的能力更强。B2M第二代碳化硅MOSFET的体二极管的Vf和trr比竞品优势明显，能减少LLC里面Q2的硬关断的风险。综合来看，相对竞品，在LLC，移相全桥型电源应用中B2M第二代碳化硅MOSFET表现会更好.

BASiC基本半导体第二代碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。  

BASiC基本半导体第二代碳化硅MOSFET亮点
更低比导通电阻：BASiC第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。

更低器件开关损耗：BASiC第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。

更高可靠性：BASiC第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。

更高工作结温：BASiC第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C，提高器件高温工作能力。