可控硅原理小议

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可控硅的本质，就是 闩锁双极晶体管。

跟BJT一样，可控硅也是三端有源器件，其实可理解为 P外延NPN管。

可控硅经常用两个BJT的交叉耦合来等效，但我认为，可控硅不过是个变异的BJT而矣。

P外延层跟N集电区必然成结，无法做成欧姆接触，但此新增PN结可产生 电导调制效应，对集电区导电能力的改善比 N+ 外延更给力。

在NPN管的 Ib 中，空穴(或名电洞)是关键载流子，如果新增PN结 离集电结太近，P外延层释出的空穴就会蹦到集电结上並且穿过结区，成了「Ib」，那么，即使你不给讯号，管子也会继续开通！

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可控硅的本质在于其内部结构和PN结的特殊组合。它由两个PN结组成，相当于一个PNPN的结构。在正常情况下，当从阳极施加正向电压时，正向PN结导通，但整个器件处于关断状态。当给控制极施加一个适当的脉冲或连续的电流时，通过控制区域注入或漏洞就会形成一条连续电流的通路，导致整个器件工作在导通状态。这种导通状态会一直保持，直到阳极电流降低到零或者外部条件改变（例如反向电压）。

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在BJT中，Ie从射极出来，穿越集电结，然后就没有然后了，

但在可控硅中，却有另一股Ie返回，两股Ie漂移通过的是同一个集电结，混着流，如果用 互补三极管交叉耦合 等效电路来分析，是无解的。

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等效电路，这拓扑更等效 ！

 

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楼上已不能编辑。

 

既是FET，也可SCR。 

 

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BJT、SCR、IGBT，

它们都有那么四层，

它们都是单个元件。