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电子工程世界-论坛»论坛 › 电子技术交流 › 模拟电子 › 关于N-MOS管的V（BR）DSS的耐压问题

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92 帖子	0 TA的资源

一粒金砂（中级）

楼主

发表于2023-5-25 00:16 只看该作者

关于N-MOS管的V（BR）DSS的耐压问题 [复制链接]

在看N-MOS管的手册，IRFP250N，看到 V (BR)DSS ，Drain-to-Source Breakdown Voltage，漏极源极击穿电压的时候，

这一项的条件是当Vgs = 0V，Id=250uA。Min最小值200V。典型值与最大值是横杠--。

如果实际使用中，在Vgs之间施加负电压，这个耐压值V (BR)DSS是不是会增加？

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耐压值是材料的固有物理特性，自然不会增加。详情回复发表于 2023-5-25 14:30

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沙发

发表于2023-5-25 07:02 只看该作者

【实际使用中，在Vgs之间施加负电压，这个耐压值V (BR)DSS是不是会增加？】

不会增加。

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板凳

发表于2023-5-25 08:44 只看该作者

“在Vgs之间施加负电压，这个耐压值V (BR)DSS是不是会增加？”

既然知道Vgs = 0V，才有雪崩电压的极值

施加负压，不是短路，V (BR)DSS是不会增加的

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4楼

发表于2023-5-25 14:30 只看该作者

耐压值是材料的固有物理特性，自然不会增加。

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