半桥栅极驱动 LN8364

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半桥栅极驱动 LN8364 [复制链接]

产品概述

LN8364是一款内置高边和低边N沟道MOSFET的驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。

LN8364内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态，用以提高转换效率。

集成使能关断功能，可以同时关断高边和低边N沟道MOSFET。

LN8364内建死区自适应功能，可以适应更多应用条件，同时简化设计的繁琐。

 

应用领域

 

半桥/全桥转换器

同步降压、升降压拓扑

电子烟

无线充MOSFET驱动器 

 

产品特点

 

电源电压工作范围为4V~15V

内置自举二极管

固定死区时间

内置30V N沟道MOSFET 

兼容3.3V/5V/15V输入信号

内建死区自适应功能防止MOSFET交叉导通

VCC欠压锁死功能

绿色环保无卤，满足ROHS标准

封装

PDFN5*6-8L-B

 

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