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纯净的硅(中级)

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请教驱动MOS的电路 [复制链接]

下面是驱动MOS的电路,有点看不明白

按电路原理,Vl和Vh分别是用来连接低端和高端的电源的,两个电压可以是相同的,但是Vl不应该超过Vh。
Q1和Q2是一个的图腾柱电路吧

同事说,这个图腾柱用来实现隔离,同时保证两只驱动管Q3和Q4不会同时导通,但是看不来啊,同事解释的似懂非懂,为什么保证两只驱动管Q3和Q4不会同时导通?
 

顺便再问一下,R5、R6起什么作用,请教老师们分析一下

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形成电压反馈,防止Gate-NMOS电压过高损坏MOS管。   详情 回复 发表于 2022-12-1 17:10
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沙发
 

【为什么保证两只驱动管Q3和Q4不会同时导通?】

Q3导通的前提是Q1导通,Q4导通的前提是Q2导通。Q1Q2不可能同时导通,因为Q1Q2的发射极联接在一起,基极也联接在一起。既然Q1Q2不可能同时导通,那么Q3Q4也不可能同时导通。

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隔离作用楼上已经说清楚了,R5、R6可以把MOS的G极拉低,并且与R4串联有分压作用,使Q5的基极电压不会过高。
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R5和R6可以说是反馈电阻,对要驱动的后面MOS管的栅极电压进行采样,让栅极电压限制在一个有限的数值。这个分压数值可以通过R5和R6来进行调节的意思,,,

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lkh747566933 发表于 2022-10-31 18:30 隔离作用楼上已经说清楚了,R5、R6可以把MOS的G极拉低,并且与R4串联有分压作用,使Q5的基极电压不会过高。

R5、R6可以把MOS的G极拉低,并且与R4串联有分压作用,使Q5的基极电压不会过高。

这个怎么讲

 

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kal9623287 发表于 2022-11-1 09:45 R5、R6可以把MOS的G极拉低,并且与R4串联有分压作用,使Q5的基极电压不会过高。 这个怎么讲   ...

Q3导通之后Vh通过R4R5R6到地形成回路,Q5的基极电压不就是被3个电阻分压后R5上端的电压嘛。

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形成电压反馈,防止Gate-NMOS电压过高损坏MOS管。

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纯净的硅(中级)

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电压反馈给那里,与输出电压成正比才能是电压反馈,怎么判断是成正比呢?

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wangguiyuan 发表于 2022-12-1 17:10 形成电压反馈,防止Gate-NMOS电压过高损坏MOS管。

电压反馈给那里,与输出电压成正比才能是电压反馈,怎么判断是成正比呢?

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