NORFLASH读写问题

houcs01

NORFLASH读写问题 [复制链接]

要将一些重要参数保存到flash里，代码如下：
UInt8 hwFlashWriteSetup(UInt8 *pData, UInt32 nSize)
{
        UInt8 *pTemp;
        crc_t crc, i;
        int   status=0;

        FlashInit();

        pTemp = (UInt8 *)malloc(nSize+4);
        crc = crc32(pData, nSize);           //校验码
        memcpy(pTemp+nSize, (UInt8 *)&crc, 4);

        // 擦除并写入
        FlashErase(tmUnit0, gConfigBlock1, nSize+4);
        for (i=0; i<3; i++)                // 写入后，再读出比较，最多3次
        {
                memcpy(pTemp, pData, nSize);
                FlashWrite(tmUnit0, pTemp, gConfigBlock1, nSize+4);//先写入
                FlashRead(tmUnit0, gConfigBlock1, pTemp, nSize);//再读出
               
                Sleep(200);//延时200ms，若去掉此延时，下面的比较验证会失败

                if (!memcmp(pData, pTemp, nSize)) break; // 如果比较相同，直接跳出
        }
        if (i >= 3) status |= 0x01; // 写入错误

        free(pTemp);
         pTemp = NULL;

        return status;
}
简短起见，去掉了一些检验语句，但可以保证各函数调用成功。
问题在于：若去掉Sleep(200)语句，则接下来的比较会失败.
哪位大哥有经验指教一下，先谢谢了

nillht

少些是需要时间的，延时是必要的。

ds_1018

烧写需要时间，延时是必要的。

rightnow10

针对这个问题，建议楼主先了解下：
NOR flash和NAND flash的区别
http://blog.eeworld.net/linweig/archive/2009/12/18/5030724.aspx

NOR FLASH的绝大数写入操作需要先进行擦除操作，所以必须等待一定的延时。
这个在NOR FLASH芯片的技术手册中，其对应的写操作和擦除操作的流程框图中也有提到，建议楼主看下你NOR FLASH的技术手册。

gf88688

引用 3 楼 kyzf 的回复:
针对这个问题，建议楼主先了解下：
NOR flash和NAND flash的区别
http://blog.eeworld.net/linweig/archive/2009/12/18/5030724.aspx

NOR FLASH的绝大数写入操作需要先进行擦除操作，所以必须等待一定的延时。
这个在NOR FLASH芯片的技术手册中，其对应的写操作和擦除操作的流程框图中也有提到，建议楼主看下你NOR FLASH的技术手册。

1.我这个延时是加在读操作之后啊，而且底层都有相应延时的
2.我晚上试着在最简环境下（无其他模块）测试了一下，不加这个延时是没有问题的。说明是我的应用程序某些地方产生了干扰，但这个函数只有这一处调用。memcmp()函数也看不出有什么问题。不解。

woinwow

烧写需要时间，延时是必要的。

gxlzhhtx

对，你可以查一下芯片手册，上面一般都提到 擦写整片 擦写块所需要的时间。