还是Norflash的问题

fenglin51

还是Norflash的问题 [复制链接]

我在SST39VF3201上用以下函数进行擦除：
bool SST39VF320X::Erase_One_Block (U32 Dst)
{
    bool  ReturnStatus=TRUE;
    IntOff();
        *(U16 *) (BaseAddres + 0x5555 * AddrsShift) = 0x00AA;     // 1st write data 0x00AA to device addr 5555H   
        *(U16 *) (BaseAddres + 0x2AAA * AddrsShift) = 0x0055;     // 2nd write data 0x0055 to device addr 2AAAH
        *(U16 *) (BaseAddres + 0x5555 * AddrsShift) = 0x0080;     // 3rd write data 0x0080 to device addr 5555H
        *(U16 *) (BaseAddres + 0x5555 * AddrsShift) = 0x00AA;     // 4th write data 0x00AA to device addr 5555H
        *(U16 *) (BaseAddres + 0x2AAA * AddrsShift) = 0x0055;     // 5th write data 0x0055 to device addr 2AAAH
        *(U16 *) (BaseAddres +   Dst              ) = 0x0050;     // 6th write data 0x0050 to device sector addr Dst   
    ReturnStatus = Check_Toggle_Ready(Dst, BlockEraseTime);          // wait TOGGLE bit stops toggling

    IntOn();

//  ReturnStatus = Check_Data_Polling(Dst, 0xFFFF, BlockEraseTime);  // wait until DQ7 outputs 1
    return ReturnStatus;
}

擦除之后需要延时20几毫秒，这20几毫秒的时间，只能进行阻塞吗，写flash肯定不行了，但读flash可以吗！

atomeeworld

如果代码不在FLASH中运行，比如已经在RAM中运行，我觉得不是必须阻塞的。flash的擦写是依靠自身内部状态机完成的，擦写命令发出后就是flash状态机自身的事了。

阿喜Paul

那为什么我在用J-LINK调试44b0时，不延时，就不能进行写操作呢！！本来想用异步操作，来节省这二十多毫秒的，但好象不行！！让人郁闷！！

kkhtkkht

擦除时，是按BLOCK进行的，擦除一个block时，就无法对flash进行读写操作。
通过读数据位DQ7来判断擦除是否完成。

fujianfeng

不可以的

chym168

你只能等待擦除完成之后才能进行其他操作！

hanbin

我觉得按块擦除的时间也不少，还不如整个FLASHROM擦除，哈哈，我就是这么干的，不过得看情况。

dr17

up

peng_hui

写flash期间，不能对flash进行其他的读写。

fund123

加这个延时是保证擦出执行完毕，发送命令后flash内部就开始擦写操作，然后可根据返回的状态进行判断是否擦除结束