简述第三代半导体

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简述第三代半导体 [复制链接]

第三代半导体、宽能隙是什么？ 讲到第三代半导体，首先简单介绍一下第一、二代半导体。在半导体材料领域中，第一代半导体是「硅」（Si），第二代半导体是「砷化镓」（GaAs），第三代半导体（又称「宽能隙半导体」，WBG）则是「碳化硅」（SiC）和「氮化镓」（GaN）。 宽能隙半导体中的「能隙」（Energy gap），如果用最白话的方式说明，代表着「一个能量的差距」，意即让一个半导体「从绝缘到导电所需的最低能量」。 第一、二代半导体的硅与砷化镓属于低能隙材料，数值分别为 1.12 eV 和 1.43 eV，第三代（宽能隙）半导体的能隙，SiC 和 GaN 分别达到 3.2eV、3.4eV，因此当遇到高温、高压、高电流时，跟一、二代比起来，第三代半导体不会轻易从绝缘变成导电，特性更稳定，能源转换也更好。 一般人常有的第三代半导体迷思 随着 5G、电动车时代来临，科技产品对于高频、高速运算、高速充电的需求上升，硅与砷化镓的温度、频率、功率已达极限，难以提升电量和速度；一旦操作温度超过 100 度时，前两代产品更容易故障，因此无法应用在更严苛的环境；再加上全球开始重视碳排放问题，因此高能效、低能耗的第三代半导体成为时代下的新宠儿。

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有没有更多这方面详细的资料，楼主能分享下不？