MOS管的源极和漏极加个电容起什么作用？

Knight97538

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在很多地方，看到MOS管的源极和漏极加个电容，这个电容起什么作用？

 

chunyang

没看见楼主贴图中DS间接有电容，G是栅极。

 

chunyang

通常，如楼主帖图中MOS管栅漏间接的电容因其两端的电压不能突变，这会导致MOS管被驱动时的导通过程变慢。这种接法的用途有二：一是降低MOS管导通瞬间可能产生的浪涌电流，二是抑制MOS管栅极回路可能感应到的空间电磁干扰使MOS管误导通。

chunyang

具体工作过程：

假设R212下端电平当前为高，显然MOS管此刻处于截止态。此时，C183两端的电压左高右低。当R212下端电平变低时，C183两端的电压不能突变，需经由R212放电，故U13的栅极电位只能逐渐降低，U13的导通过程因此变慢。若U13右侧负载中存在大容量容性环节，U13导通变慢就能降低U13导通瞬间的浪涌电流。

类似的，在楼主电路处于静态即U13处于截止或导通的稳态时，此时若发生空间电磁干扰在U13G极回路的耦合，如果没有C183，因MOS管栅极电容容量远远小于C183，那么就可能改变G极电位，进而影响MOS管的当前状态，尤其是G极回路与电路中的其它节点均处于较高的阻抗下时。

chunyang

如果负载中有较大容性环节，此时需强调浪涌抑制，C183的取值往往较大，且需要与R212的阻值构成合理的RC时间常数，以期合理的浪涌抑制参数。如果仅考虑对电磁干扰的抑制，C183的取值就比较低。是否需要C183以及其具体的取值，需要根据电路特性及PCB的设计、工作环境等综合考虑。

Gen_X

是软起动功能，确实可以减少浪涌。

忠自兵

厉害了，第一次见