英飞凌SiC产品大全

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英飞凌SiC产品大全 [复制链接]

碳化硅在材料与工艺特性上不同于传统硅，质量和可靠性的保证是所有厂家需要面对的首要问题。英飞凌采用最新的技术，通过近 30 年的研发和实践才最终摸索出了一套立足长远、更具战略优势的技术路线，并于2021年推出了碳化硅可靠性研究白皮书，为客户全面梳理了SiC MOSFET可靠性的问题。

新兴技术势必在应用方面需要更多的探索。碳化硅技术应用的能力，需要摆脱源自硅器件使用的传统经验和思维，有更多思考和实践。在为成熟行业的领先客户、领先设计做好技术服务的同时，英飞凌也在积极参与新兴行业的早期预研项目，致力于拓展碳化硅应用。

 

产品大全（点击查看）

IMZA120R007M1H
采用TO247-4封装的1200V 7mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET单管

 
IMW120R014M1H
采用TO247-3封装的1200V 14mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET单管

 
IMZA120R020M1H
采用TO247-4封装的1200V 20mΩ CoolSiC™ 沟槽型碳化硅MOSFET单管

F3L8MR12W2M1HP_B11
三电平1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy模块

 
FS55MR12W1M1H_B11
SixPACK 1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy三相桥模块

 
FF2MR12W3M1H_B11
半桥1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy模块

 

应用大全（点击查看）

不间断电源（UPS）

电池化成

电动汽车快速充电

电机控制和驱动

太阳能系统解决方案

储能系统

伺服电机驱动和控制

牵引

商用、建筑和农用车辆 (CAV)

 

资料大全（点击查看）

白皮书：英飞凌如何控制和保证基于SiC的功率半导体器件的可靠性
白皮书：阈值电压滞后对SiC MOSFET开关特性的影响
具备出色稳定性的 CoolSiC MOSFET M1H
Easy-PressFIT模块装配说明