木木夕了

没有找到明确原因 上电有阴影啊...

木木夕了

RichSJ

木木夕了 发表于 2022-6-26 17:19 您好，重新测试了EN引脚，调整了示波器参数，开关在闭合的时候，EN引脚发生振铃了。。不知道是不是因为这 ...

第一次测试用5 毫秒太长， 现在的高端电源芯片内部非常复杂，为了几个目的，用电池时考虑每一毫安的消耗，这包括带负载时的效率， 低负载时的“静态” 功耗。 开关快速又不要过冲，噪音小。。 为了省电和噪音，用了不同的模式。 我的理解， Burst 模式是对开关比较“危险”的模式， 因为这个模式关断了很多控制模块。 其它三种模式内部大部分是开的， 如果我没记错，4-5 年前和一位高端电源芯片设计主管闲聊时（我在测他们的新产品）， 问过他怎样用 Burst 模式， 他的建议是， 开关时都不要用Burst 模式， 先用别的模式 开， 关之前先转别的模式。

我有几个建议，看来你是真想把这个问题解决的人， 这是我想多花些力气的原因。

1. 一定不要再用简单开关测这么高档的电路， 单脉冲电路是必须的 （要求按下开关后只有一个漂亮的单脉冲） 简单三级管电路都不是很好， 用个 555 电路可能是选项之一。

2. 如果可能， 关断时关此芯片VIN ， EN和VIN 联在一起， 这是厂家多项测试通过的。

3. 此芯片是电平控制 EN， 所以EN 的信号不能在 0.9 -1.1 V间“常时间”，哪怕不是震动都不行， 芯片内部可能反复开关，这个“常时间” 是 ns 级的， 此芯片的开关时间都在100  ns 左右。

4. 一般EN 内部有下拉电阻， 你可取消R13， 用开关断开RA10 作关断 （要试验才知道对不对，最好不忙试。）

5. 如果可能， 把情况反馈给厂家的FAE, 他们有的是测试方法， 他们也不怕烧。

他们应该会有兴趣提出意见。

6. 我想你的第三个测试条件引起的问题是， RC 常数太大， 已经达到 1 mS, 而且电压比前两个高了很多， 降压到1V时， 已经在 2.5 RC 左右， 这段的曲线较平滑， 对此芯片很不好。

RichSJ

木木夕了 发表于 2022-6-26 22:53

还有一个想法， 你说已经将电源电流限制在0.1A， 输出空载， 任然输入输出烧到短路，应该电流很大， 不是电压击穿。

这可能是

1. 电源反应不够快， 毫秒级已经烧掉。

2. 电源芯片内部正反馈， 电源设计时常用 bode plot 测会不会正反馈， 但Burst 模式无法用 bode plot 测试。反复开关可能造成 正反馈， 电容上的能量足以烧掉芯片。

RichSJ

这种情况你应该反映给 ADI FAE, LT 系列应该是 Linear Tech team 作的， 他们很强。

木木夕了

RichSJ 发表于 2022-6-26 23:12 第一次测试用5 毫秒太长， 现在的高端电源芯片内部非常复杂，为了几个目的，用电池时考虑每一毫安的消耗 ...

    首先非常感谢您百忙之中花时间解答。
    不同的工作模式layout上有做预留，可以使用其他模式。但在线转模式后再进行开关似乎不太实际。前期测试都是使用burst模式（使用此模式是参考了另一款产品）。
    1、小弟也是第一次尝试使用芯片的EN引脚。目前还没有得到具体原因，使用这种控制方式现在也不敢上机使用。像您前面说的，安全第一。
    2、目前的想法就是在芯片VIN前级做关断处理。但是像芯片的EN引脚，电路中采取一般采取什么样的用法？小弟的感觉是：在很多厂家的手册中，都没有很明确EN引脚的应用方法，很多数据手册中的应用电路都是接入VIN或者浮空直接让芯片使能工作。
    3、想得到小于这个“常时间”的EN信号，目前没有想到很好的做法。
    4、取消RA13，做关断。下午小弟也尝试过了，开关接地也是会振荡（芯片拆下了，没敢上芯片测试）。不知道是否因为线缆阻抗匹配问题导致产生的负电压。
    5、已和两个FAE联系。他们提出的建议分别是：
        ①取消这两104电容。但目前测试来看，取消后电路依旧振荡，把测试波形发给FAE，目前没有得到明确答复。（本想申请块DEMO板，得到的回复是缺芯片，难申请）
        ②在开关接地前级串联电阻。将关断EN电压限制在0v以上0.9v以下。（但我输入电压随着时间波动较大，不好控制）
    6、关断时间长，您说对此芯片很不好，是会有什么影响呀？是怕在0.9v-1.1之间反复开关么？
    小弟目前想法是：
        ①取消开关，在线路vin输入前级加个MOS开关。后将EN引脚与VIN引脚绑定（手册中应用电路的做法。也有同事建议用VIN电阻分压2V后再给到EN（手册中电气特性表中的测试参数）。您能否给个建议，从没这么纠结过，烧不起了，涨价离谱..）。
        ②如果可能，还是想使用芯片EN引脚来控制，但是如何应用还没有想好。您方便给点建议么。
    您觉得，烧毁芯片的原因是什么？ 目前小弟怀疑两个原因（不知道对不对，猜的）
        ①EN引脚负电压导致烧毁（但EN引脚进去后是一个比较器，但烧毁应该是比较器或者电路不工作吧）
        ②EN引脚波形振荡，内部管子开关“混乱”，导致内部MOS短路（猜的，从坏掉的芯片测试来看，输入输出对地直接短路了）

不亦心

木木夕了 发表于 2022-6-26 15:33 您好，已测试。

从波形上看明显是负压击穿，

可能开关寄生电感比较大，如果开关不在板子上通过导线连接，电感更大，开关闭合时，就是典型的并联RLC，

下偏电阻越大，电压越高，电容储能越多，振幅越大，符合测试波形，

不改板的补救措施，并联电容去掉（本就没有必要），在下偏电阻上并肖特基钳位负压，如果方便在分压电阻中点至EN脚之间串联电阻，也可以加上。

最好还是用机械开关控制三极管或mos，然后三极管或mos控制EN，

木木夕了

RichSJ 发表于 2022-6-27 01:15 这种情况你应该反映给 ADI FAE, LT 系列应该是 Linear Tech team 作的， 他们很强。

25号晚有尝试在ADI官网 下技术支持，但感觉得不到回复。。只问了两个代理商的FAE。

不亦心

不亦心 发表于 2022-6-27 01:58 从波形上看明显是负压击穿， 可能开关寄生电感比较大，如果开关不在板子上通过导线连接，电感更大，开 ...

还要测试开关由闭合到断开的情况，大概率还要在上偏电阻上对Vin并个肖特基，钳位一下，

睡觉。

木木夕了

不亦心 发表于 2022-6-27 01:58 从波形上看明显是负压击穿， 可能开关寄生电感比较大，如果开关不在板子上通过导线连接，电感更大，开 ...

感谢回复解答~

1、开关没有在板上，使用50cm左右的线缆连接。

2、并联二极管我找时间实验一下哈。分压电阻中点到EN引脚之间有预留一个电阻，可以用上，目前是用0R的代替。

3、原理图设计之初没有考虑好，目前要加这种电路只能在外围增加了。

木木夕了

不亦心 发表于 2022-6-27 02:05 还要测试开关由闭合到断开的情况，大概率还要在上偏电阻上对Vin并个肖特基，钳位一下， 睡觉。

这个测试做过了，开关由闭合到断开的时候，不会又负压产生。（但可能还得试下会不会过压...）

RichSJ

木木夕了 发表于 2022-6-27 02:17 这个测试做过了，开关由闭合到断开的时候，不会又负压产生。（但可能还得试下会不会过压...）

损坏从 EN 脚产生的概率很小， 你的芯片输入输出都烧“粘” 上了， 不是EN 脚烧坏。

 

木木夕了

RichSJ 发表于 2022-6-27 05:21 损坏从 EN 脚产生的概率很小， 你的芯片输入输出都烧“粘” 上了， 不是EN 脚烧坏。   ...

那有可能是什么原因啊~  EN引脚振荡了引发的内部问题？

RichSJ

木木夕了 发表于 2022-6-27 08:46 那有可能是什么原因啊~  EN引脚振荡了引发的内部问题？

我前面解释过， 内部可能产生了正反馈。 因为你们设在 Burst 模式和反复开关。

RichSJ

我不清楚你的目标， 为什么要改RA13 到100K？

是为了省电， 还是为了怕电阻烧掉 -功率不够， 还是其它原因？

如你说出， 我可以給你建议改电阻电容， 能和你第一个测试一样安全水平（第一个测试也不够安全）。

当然你如能改为单脉冲， 在开关上就足够安全了。 

木木夕了

RichSJ 发表于 2022-6-27 09:32 我不清楚你的目标， 为什么要改RA13 到100K？ 是为了省电， 还是为了怕电阻烧掉 -功率不够， 还是其它原 ...

    呃 这是因为我还有一个DCDC，也就是通过一个开关控制两个DCDC芯片的EN引脚。

    一个EN引脚的开范围是1.01V以上65以下，关是0.9v以下。另外一个开是3.3v以上，关是0.5v以下。如果是第一组搭配，在低电压的时候，第二个DCDC芯片就起不到开的作用了。

    但是根据目前实际使用情况来看，只要把LT8645这个给搞定了就可以了。

RichSJ

木木夕了 发表于 2022-6-27 10:04     呃 这是因为我还有一个DCDC，也就是通过一个开关控制两个DCDC芯片的EN引脚。 ...

好， 那就专注于8645，首先要想说一点你的理解不准确， 手册給出的是最小0.95V ，最大1.07V， Hysteresis  45mV, 意思是不同芯片，可能一个在0.95V 开， 另一个在1.07V开， 第一个芯片在0.95-0.045V 关， 第二个在1.07-0.045V 关。

从你給的波形，

1. 8.2K 50V时， 基本上作到了单脉冲， 虽然有三次振荡， 但只有第一次大于0.95V， （可能开关两次）。所以还不安全。

2. 15K 50V时， 至少有三次振荡大于0.95V （第四次看不清），  可能开关4次.

3. 100K 50V时， 直到屏幕完， 还大于0.95V， 持续开关。

EN 要求的电流只是20nA, 所以你可把RA10 加大， 例如470K， RA13 在29K左右， 再测一下波型， 控制振荡在0.9V 以下。

RichSJ

从你的波型上看， 电容不是问题， 可以保留， 不过我还是觉得两边挂电容非常古怪， 用接地的一个就好。

木木夕了

RichSJ 发表于 2022-6-27 11:10 好， 那就专注于8645，首先要想说一点你的理解不准确， 手册給出的是最小0.95V ，最大1.07V， Hysteresis ...

您好 已测试

RichSJ

木木夕了 发表于 2022-6-27 21:11 您好 已测试

CH2 10R？  是10K？

初步看来能用， 但这时要特别仔细，我不确定第一个振荡是不是在0.8-0.9V，示波器 应该用0.5V-1us 档， CA14 还是加上， （可能有高频杂讯, 有个电容好些） RA11 能不能用1-2K？

10K 下降不够陡， 系望下降在1,1-0.9V 间小于0.4us （开启时间）