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在电路的EMC相关实验中,有一些电压脉冲的实验,那电容的耐压值该怎么考虑呢? [复制链接]

 

图片.png   该图为相关的电压脉冲实验,可以看到 12v的系统中,最高的US达到了-150V,那我们在选择输入滤波电容时要选耐压在150v以上的?

而实际情况中往往选用的是50V的耐压,而电解电容可能耐压选的就更低了,可能只选择35v的,这样不会造成滤波电容的损坏吗?

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本帖最后由 akii 于 2022-4-6 18:23 编辑 這波型好像是 ISO7637 Pulse-1 的波形 ?   详情 回复 发表于 2022-4-6 18:12
 
 
 

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五彩晶圆(初级)

 

这个可能和脉冲的能量有关,类似静电,电压很高,其实能量很小,具体理论支撑就不晓得了,没有关注过

 
 
 

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电容是比较禁得住折腾的,禁不住的是半导体器件,尤其是MOS工艺的器件。

 
 
 

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电容的耐压仅考虑正常工作下的极端情况,脉冲串测试的高压脉冲能量很小,跟供电根本不是一码事。

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这个能量 又该怎么理解呢?电容损坏是因为能量大吗  详情 回复 发表于 2022-3-31 19:15
个人签名上传了一些书籍资料,也许有你想要的:https://download.eeworld.com.cn/user/chunyang
 
 
 

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chunyang 发表于 2022-3-30 19:14 电容的耐压仅考虑正常工作下的极端情况,脉冲串测试的高压脉冲能量很小,跟供电根本不是一码事。

这个能量 又该怎么理解呢?电容损坏是因为能量大吗

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这里说的“能量”指充入电容的电量,这决定着电容两端的电压,过压击穿电容的绝缘介质可导致电容损坏。 有关电容容量、充入的电量与电容两端电压的关系为U=Q/C,这是高中物理课讲过的。  详情 回复 发表于 2022-4-1 13:15
 
 
 

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用电容充电公式就可以解决你的疑问了

 
 
 

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小太阳yy 发表于 2022-3-31 19:15 这个能量 又该怎么理解呢?电容损坏是因为能量大吗

这里说的“能量”指充入电容的电量,这决定着电容两端的电压,过压击穿电容的绝缘介质可导致电容损坏。

有关电容容量、充入的电量与电容两端电压的关系为U=Q/C,这是高中物理课讲过的。

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我明白您的意思了,跟吸收静电原理是一样的  详情 回复 发表于 2022-4-7 09:58
个人签名上传了一些书籍资料,也许有你想要的:https://download.eeworld.com.cn/user/chunyang
 
 
 

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本帖最后由 akii 于 2022-4-6 18:23 编辑

這波型好像是 ISO7637 Pulse-1 的波形 ?

 
 
 

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chunyang 发表于 2022-4-1 13:15 这里说的“能量”指充入电容的电量,这决定着电容两端的电压,过压击穿电容的绝缘介质可导致电 ...

我明白您的意思了,跟吸收静电原理是一样的

 
 
 

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