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纯净的硅(高级)

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ESD保护 应用电容来进行 ,有很多问题,求助! [复制链接]

静电是特点是时间短,高电压,当静电传导到半导体元器件上,也会给元器件带来一个高压,那给半导体元器件带来的高电流是多少呢?损坏器件的到底是电压 还是电流呢?

 

下图是IEC标准中静电测试的发生器电路,还有放电波形,这个意思是在静电放电的过程中,给半导体器件上造成的电流类似下面的波形吗?

那这样来说的话,损坏器件的还是电流是不是?

还有个问题,在ESD静电 EMC实验当中,有接触放电跟空气放电两种,但是我发现空气放电的测试电压更高,比如接触放电测试4KV,空气放电就测试6KV,为什么他们两个标准不一样呢?这么说空气放电造成的伤害更小? 为什么会这样呢? 接触放电的电流波形 跟空气放电的电流波形是一样吗?

 

 

 

 

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电流电压两者都有,电容的响应时间可能跟不上,ESD有时候也可以用电容代替,具体情况具体分析,比如接口端子就要用响应快的ESD,效果很明显.   详情 回复 发表于 2022-3-20 11:28
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一粒金砂(初级)

沙发
 

静电产生的电压损伤和电流损坏伤都有,

电流相关损伤,如PN结、多晶硅互连线或电阻烧坏;

电压相关损伤,栅氧化层击穿是最常见的电压型失效。

 

空气放电测试不允许有电弧产生,作用的相当与“耦合”,不像接触放电是直接对接触点进行放电,所以相同的测试等级对应的测试电压不同。

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纯净的硅(高级)

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电流电压两者都有,电容的响应时间可能跟不上,ESD有时候也可以用电容代替,具体情况具体分析,比如接口端子就要用响应快的ESD,效果很明显.

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响应的时间 如果是电容的话,该怎么计算呢?  详情 回复 发表于 2022-3-21 18:24
 
 
 
 

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纯净的硅(高级)

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Fred_1977 发表于 2022-3-20 11:28 电流电压两者都有,电容的响应时间可能跟不上,ESD有时候也可以用电容代替,具体情况具体分析,比如接口端 ...

响应的时间 如果是电容的话,该怎么计算呢?

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