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MOS和三极管驱动电路 [复制链接]

MOS和三极管驱动电路

1.用三极管Q4的漏电流为(3.3-0.7)/1K=3.6mA

2.用NMOS Q5的电流几乎为0,所以用NMOS省电相较于用三极管不是一个数量级

3.要注意NMOS的Vth,这里选择低压导通的NMOS,在1V上下的管子找到了

除了以上几点,用单片机去驱动NMOS,然后NMOS驱动PMOS会比用三极管驱动PMOS还有哪些好处?以

及需要注意的地方?

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三极管极性反了,只要控制电压和成本允许,Nmos驱动Pmos是不错的选择,最好后级加反馈到Nmos,防止后级短路等异常情况   详情 回复 发表于 2021-9-13 10:58
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沙发
 
本帖最后由 qwqwqw2088 于 2021-9-10 16:49 编辑

用三极管8050,这个三极管其实就是一个电平转换

mcu_ctl 这里高,三极管导通,对于PMOS来说,栅极为低电平,MOS管即导通;反之截止

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要说注意事项,毕竟MOS管这里是相当于开关,如果后面负载大的话,或者有其他要求,比如缓慢启动要求的话,MOS外围要增加一些电阻等

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MOSFET的开关速度大于三极管,而且在大功率应用下,MOSFET的导通损耗小于三极管

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五彩晶圆(中级)

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三极管C和E反了  不好意思
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一粒金砂(中级)

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三极管极性反了,只要控制电压和成本允许,Nmos驱动Pmos是不错的选择,最好后级加反馈到Nmos,防止后级短路等异常情况

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空间不允许  详情 回复 发表于 2021-9-13 18:26
 
 
 

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五彩晶圆(中级)

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MrShangPING 发表于 2021-9-13 10:58 三极管极性反了,只要控制电压和成本允许,Nmos驱动Pmos是不错的选择,最好后级加反馈到Nmos,防止后级短路 ...

空间不允许

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五彩晶圆(中级)

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如果用NMOS去驱动PMOS  那么NMOS的可靠导通需要G的电压比S高,这个风险时存在的,G的电压是MCU出来的,多余的电压从那里来,是一个问题。难道还要升压。。。不过S的电压不是=0吗  都已经接地了啊!难道是说导通的时候S的电压等于D的电压=电池电压?
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