请问一下 CORTEXT M0+ 存储器擦写的问题

深圳小花

请问一下 CORTEXT M0+ 存储器擦写的问题 [复制链接]

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请问一下  

 

1、CORTEXT M0+ 存储器擦写的问题，请问 它的FLASH 存储器按页擦写是整页同一瞬间一起擦写掉，还是这一页内每个字节逐个进行擦写？

 

2、为什么要先擦写，才能再写入？

maychang

『请问 它的FLASH 存储器按页擦写是整页同一瞬间一起擦写掉，还是这一页内每个字节逐个进行擦写？』

是整页擦除，不是逐字节擦除。

另外，不可能 “同一瞬间” 擦除，擦除需要比较长的时间。

maychang

『为什么要先擦写，才能再写入？』

和RAM不一样，这种存储器只能写入 “0” 而不能写入 “1”。要想写入 “1” ，只能擦除(擦除后所有字节的所有位都变成 “1”)。擦除后，重新写入也是只写入 “0" ，为 ”1“ 的位并未写入，保持原状。

深圳小花

maychang 发表于 2021-7-10 10:00 『请问 它的FLASH 存储器按页擦写是整页同一瞬间一起擦写掉，还是这一页内每个字节逐个进行擦写？』 是 ...

非常感谢。请问，擦除一页和写入一个字节，各需要大约多长时间？

maychang

深圳小花 发表于 2021-7-10 10:07 非常感谢。请问，擦除一页和写入一个字节，各需要大约多长时间？

仔细看你的 CORTEXT M0+ 说明书，里面必有叙述擦除和写入各需要多少个时钟周期。

chunyang

所有FLASH的擦除操作都不是按字节进行的，而是以扇区、块、页为单位操作，也可以整片擦除。擦除操作需要时间，其实质是写入逻辑1。至于编程操作则是往存储位里写入逻辑0，逻辑1事实上是不操作的。之所以如此是由FLASH存储单元的电路结构所决定，你可以找来典型的FLASH单元电路看看。

深圳小花

chunyang 发表于 2021-7-11 23:23 所有FLASH的擦除操作都不是按字节进行的，而是以扇区、块、页为单位操作，也可以整片擦除。擦除操作需要时 ...

非常感谢。

您的意思是说写的时候是按字节单个写入，擦除时 不是按字节单个单个的擦除，是整扇区、整块、整页的擦除？

chunyang

深圳小花 发表于 2021-7-12 06:30 非常感谢。 您的意思是说写的时候是按字节单个写入，擦除时 不是按字节单个单个的擦除，是整扇区、整 ...

前面都已说的很清楚了。

freebsder

一次擦，器件决定的。