最近,QORVO又推了一篇氮化镓在射频电子中的应用,在这篇中指出,GaN 非常适合提供毫米波领域所需的高频率和宽带宽。它可以满足性能和小尺寸要求,如下图所示。使用毫米波频段的应用需要高度定向的波束形成技术(波束形成将无线电信号聚焦成强指向性的波束,从而提高功率并最大限度地减少用户设备上的干扰)。这意味着 RF 子系统将需要大量有源元件来驱动相对紧凑的孔径。GaN 非常适合这些应用,因为以小封装尺寸提供强大性能是其最显著的特点之一。
据 Yole 介绍,除了在雷达中的深度渗透,碳化硅基氮化镓也一直是电信 OEM 的选择,如华为、诺基亚和三星都在其 5G 大规模 MIMO 基础设施中选用了这项技术。碳化硅基氮化镓技术的高带宽和高效率使之在 5G 市场上不断抢占 LDMOS 的份额,而且 6 英寸晶圆平台过渡带给它的益处也开始显现。
在此背景下,Yole 预测,碳化硅基氮化镓器件市场在 2020 到 2026 间将以 17% 的 CAGR 增长,预期整体规模在 2026 年将达到 22 亿美元以上。
在射频氮化镓市场,除了碳化硅基氮化镓以外,硅基氮化镓也是另一个选择。
未来是否还有新的材料能够代替氮化镓呢?我觉得有可能会有新材料出现的,但是目前应该只有氮化镓的,每种新材料的诞生都伴随着科学家无数次的材料选择,开始是通过电磁特性来初步筛选材料,然后在按各类材料的配比混合后测试验证实验,当然了,氮化镓类的更复杂了,我是觉得因为比氮化镓性能更好的材料诞生还是比较缓慢的,所以它的热度不会减的,大家怎么看呢?
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