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峰值采样电路设计遇到的元器件问题求推荐 [复制链接]

 

    各位朋友,最近在做一个峰值电流采样模块,峰值保持采用电容进行,确定是CBB(聚酯类)系列电容,没有确定好是CBB81,CBB22哪一系列,电压不高,5V左右,容值在 10uF-100uF,有没有靠谱的电容品牌推荐 ?

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学习到了   详情 回复 发表于 2021-6-8 13:46
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沙发
 

要求并不高,凡正规厂家的产品都能满足,无所谓什么品牌。

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如果电流变化率1000A/S呢,这个就得考虑电容的di/dt限制了吧。主要是抛砖引玉,看看有没有更好的,说不定能逮到无引脚的 CBB。  详情 回复 发表于 2021-5-22 09:15
 
个人签名上传了一些书籍资料,也许有你想要的:https://download.eeworld.com.cn/user/chunyang
 

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实践是检验真理的唯一标准,这个不复杂,多试试就会明白,甚至还有意想不到的收获。哈!

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最近比较衰,总遇到见鬼事情 ,所以 想把事情做 细点。 开始时手头有1uF/63V的,结果算了下,1uA的泄露电流 会导致每秒掉1V电压 。半导体 器件总不能说不让它没泄露吧。 话说我给NMOS一个负的Vgs,有没有能降  详情 回复 发表于 2021-5-22 09:10
 
 
 
 

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book1 发表于 2021-5-22 07:42 实践是检验真理的唯一标准,这个不复杂,多试试就会明白,甚至还有意想不到的收获。哈!

最近比较衰,总遇到见鬼事情 ,所以 想把事情做 细点。

开始时手头有1uF/63V的,结果算了下,1uA的泄露电流 会导致每秒掉1V电压 。半导体 器件总不能说不让它没泄露吧。

话说我给NMOS一个负的Vgs,有没有能降低Ids的泄露呢?

 

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NMOS 结电容够不够?加反向电压容量变小。有些低压差肖特基二极管(0.1V左右),结电容达到几千nf。  详情 回复 发表于 2021-5-22 16:03
 
 
 
 

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chunyang 发表于 2021-5-21 20:00 要求并不高,凡正规厂家的产品都能满足,无所谓什么品牌。

如果电流变化率1000A/S呢,这个就得考虑电容的di/dt限制了吧。主要是抛砖引玉,看看有没有更好的,说不定能逮到无引脚的 CBB。

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那需要考虑的是寄生参数,此种情况根本就不能用CBB,不论是否有脚,更不是你需要的规格能适用的,可以说与楼主贴完全无关。  详情 回复 发表于 2021-5-24 14:26
 
 
 
 

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呜呼哀哉 发表于 2021-5-22 09:10 最近比较衰,总遇到见鬼事情 ,所以 想把事情做 细点。 开始时手头有1uF/63V的,结果算了下,1uA的泄 ...

NMOS 结电容够不够?加反向电压容量变小。有些低压差肖特基二极管(0.1V左右),结电容达到几千nf。

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直接用IC
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直接用IC  ,LM311+LF298应该可以搞定
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你说的这个是不用二极管的方式,我是采用运放驱动三极管再加保持电容的方式。即使采用LM331输入比较,LM311输出保持电容,依旧存在三极管Veb反向漏电问题。同时要放电采样电容复位,采用MOS,也漏电。最好的应该是继  详情 回复 发表于 2021-5-22 18:07
 
 
 
 

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3637320230 发表于 2021-5-22 17:26 直接用IC ,LM311+LF298应该可以搞定

你说的这个是不用二极管的方式,我是采用运放驱动三极管再加保持电容的方式。即使采用LM331输入比较,LM311输出保持电容,依旧存在三极管Veb反向漏电问题。同时要放电采样电容复位,采用MOS,也漏电。最好的应该是继电器,太大又不想用。

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你没好好看我的方案,LM311D是比较,LF398是采集加保持,最终可以检测到你的峰值  详情 回复 发表于 2021-6-3 16:41
 
 
 
 

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呜呼哀哉 发表于 2021-5-22 09:15 如果电流变化率1000A/S呢,这个就得考虑电容的di/dt限制了吧。主要是抛砖引玉,看看有没有更好的,说不定 ...

那需要考虑的是寄生参数,此种情况根本就不能用CBB,不论是否有脚,更不是你需要的规格能适用的,可以说与楼主贴完全无关。

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本帖最后由 3637320230 于 2021-6-3 16:42 编辑
呜呼哀哉 发表于 2021-5-22 18:07 你说的这个是不用二极管的方式,我是采用运放驱动三极管再加保持电容的方式。即使采用LM331输入比较,LM3 ...

你没好好看我的方案,LM311D是比较,LF398是采集加保持,最终可以检测到你的峰值;这个就不需要考虑什么漏电以及二极管等问题,方便简单

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谢谢。 这个做出来了 ,你说 的方案不能 说是不好,我说的 泄露主要是峰值过后,LM331输出为低,输出的 三级管BE反偏,这个会漏电吧。当时考虑 1uF电容,1uA电流持续漏电等于每秒钟电容 电压降1V,根本保持不住。  详情 回复 发表于 2021-6-3 16:53
 
 
 
 

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3637320230 发表于 2021-6-3 16:41 呜呼哀哉 发表于 2021-5-22 18:07 你说的这个是不用二极管的方式,我是采用运放驱动三极管再加保持电容的 ...

谢谢。

这个做出来了 ,你说 的方案不能 说是不好,我说的 泄露主要是峰值过后,LM331输出为低,输出的 三级管BE反偏,这个会漏电吧。当时考虑 1uF电容,1uA电流持续漏电等于每秒钟电容 电压降1V,根本保持不住。

实际情况没这么严重,还是采用二极管方式,运放驱动,多跟 一级运放,让二极管反向 电压只有一个管压降,实际用示波器看,电容10s都没掉电压。

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有电路没    详情 回复 发表于 2021-6-8 11:13
 
 
 
 

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呜呼哀哉 发表于 2021-6-3 16:53 谢谢。 这个做出来了 ,你说 的方案不能 说是不好,我说的 泄露主要是峰值过后,LM331输出为低,输出 ...

有电路没

 

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如下图,这个是峰值保持部分,NMOS的控制G不用的时候 给的负  详情 回复 发表于 2021-6-8 13:38
 
 
 
 

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如下图,这个是峰值保持部分,NMOS的控制G不用的时候 给的负

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