关于场效应管做开关时发热的问题解决方法

小东工程师

关于场效应管做开关时发热的问题解决方法 [复制链接]

 

 

NCE0102Z场效应管做开关时，D(漏极)加12V电压，G（栅极）接入幅度为5V左右，频率为92khz的PWM波，S（源极）接地，，此时如果场效应管发热。

分析原因：可能由于开关的频率太快，导致场效应管发热。

解决方法：将PWM波的占空比调大，这样将开关的频率减小，就可以解决场效应发热的问题。

目前这是我遇见这种问题时，解决的方法，也算一点点小心得。

小东工程师

这里应该是把频率增大，写错了，抱歉

小东工程师

小东工程师 发表于 2021-5-6 10:19 这里应该是把频率增大，写错了，抱歉

就是减小

仙猫

“D(漏极)加12V电压，……，S（源极）接地”

栅极上一旦加上电压，不就把电源短路了吗？

 

maychang

『NCE0102Z场效应管做开关时，D(漏极)加12V电压，G（栅极）接入幅度为5V左右，频率为92khz的PWM波，S（源极）接地』

建议仔细阅读该MOS管手册，看看幅度为5V的电压信号是否足够使MOS管充分导通。

 

maychang

『NCE0102Z场效应管做开关时，D(漏极)加12V电压，G（栅极）接入幅度为5V左右，频率为92khz的PWM波，S（源极）接地』

作为开关，MOS管必有负载。你的负载是什么？接在哪里？

仙猫

降低频率＝减少单位时间内的开关次数，固然能减少发热，但这是没办法时的办法。建议不妨再考虑下别的办法：

1. 该型号的D-S间耐压100V，如只用到开关12V的话，可找低耐压管。MOS管通常耐压低的ON电阻也小，于是管子上损耗的功率就会小。

2. 栅极驱动电压尽量取得高些，让管子尽量充分导通，方能使ON电阻变小。

3. 栅极加驱动电路，以减少OFF→ON和ON→OFF的过渡过程，也能抑制发热。

chunyang

务必先确定发热原因，是驱动问题还是选型问题，然后再针对性的解决问题，PWM的频率应该以应用的具体需求来合理选择。

小东工程师

maychang 发表于 2021-5-6 11:14 『NCE0102Z场效应管做开关时，D(漏极)加12V电压，G（栅极）接入幅度为5V左右，频率为92khz的PWM波，S（源极 ...

MOS管在2.7V电压时就导通了

 

小东工程师

chunyang 发表于 2021-5-6 13:45 务必先确定发热原因，是驱动问题还是选型问题，然后再针对性的解决问题，PWM的频率应该以应用的具体需求来 ...

因为做很多次实验，当调节pwm的占空比时，能明显得出场效应管发热，可能是由于开关的频率太快，没有完全导通时，又关断所以就导致其发热

小东工程师

仙猫 发表于 2021-5-6 11:04 “D(漏极)加12V电压，……，S（源极）接地” 栅极上一旦加上电压，不就把电源短 ...

因为有保护电路，没有提及那一块，这里这是说了场效应管，电路总体情况没说明

maychang

小东工程师 发表于 2021-5-6 15:10 MOS管在2.7V电压时就导通了  

『MOS管在2.7V电压时就导通了』

这恐怕是你的误解。估计在2.7V时 “开始导通”，而非 “充分导通”。

把NCE0102Z说明书贴出来看看。

maychang

小东工程师 发表于 2021-5-6 15:10 MOS管在2.7V电压时就导通了  

『MOS管在2.7V电压时就导通了』

如果MOS管没有充分导通，发热是必然的。这种情况下，减小占空比确实可以减少发热，但减小占空比并不是解决问题的办法。

chunyang

小东工程师 发表于 2021-5-6 15:14 因为做很多次实验，当调节pwm的占空比时，能明显得出场效应管发热，可能是由于开关的频率太快，没有完全 ...

这种情况说明你的驱动或/和管子的选型有问题。

qwqwqw2088

mos管有时栅极驱动电阻太大，也会影响导通效率，可以适当减小这个电阻

因这个NCE0102Z内阻典型值210毫欧，也有点大，

可另中选一个内阻小的管子，做好散热也行就能解决

改变开关的频率也能解决，发热严重的不一定是这个原因

se7ens

如果只是减小开关频率就能解决发热问题

那就是说开关损耗得到减小，这确实是一个改善办法