4月20日直播回顾：基于Source-down技术的全新英飞凌MOSFET（含视频、资料、问答）

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4月20日直播回顾：基于Source-down技术的全新英飞凌MOSFET（含视频、资料、问答） [复制链接]

直播时间：4 月 20 日（周二）上午 10:00-11:30
直播主题:基于Source-down技术的全新英飞凌MOSFET，有效提升功率密度，肉眼可见
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问答汇总：

提问内容	答复内容
漏极至源极爬电距离是多少	0.75mm
基于Source-down技术的全新英飞凌MOSFET，比友商的提升多少？	相比友商的3*3 drain down ，Rdson 减少30% 以上，Qg 可以节省20% 以上。相比友商的5*6 drain down ， Rdson *Area 可以节省60% . 在SR /Oring /buck /电机驱动等应用上面，有机会用3*3 source down 替代友商的5*6 drain down .提高效率，提高功率密度。
最大功率支持多大？	已量产单个管子电流已高达200多A，例如BSZ009NE2LS5,但实际应用也取决于你的散热设计
Source-down技术的MOSFET相比于传统的MOS什么优势呢！	效率更高 效率更高，功率密度更高 BOM（物料表）成本降低
这种MOS管比一般的有啥特点？	相比3*3 drain down 的,Rdson 低30% ，热阻Rthjc 降低20% 以上，配合系统PCB 设计优化，达到效率提升，功率密度更高
英飞凌的 MOSFET相比安森美的有什么优势？	相比同是3*3 的友商 相比： Rdson 更低，Rthjc 热阻更小，Qg更小，center gate 结构更适合并联驱动 。效率更高，功率密度提升。
Source-down 的产品有80V吗？有几个电压等级？	今年会陆续发布40V,60V,80V.100V,120V,150V 等耐压等级的source down 3*3 package 。
Source-down的产品目前已经量产了吗？	25V /40V 耐压等级的，已经量产。其他耐压等级，今年陆续会量产。
低压功率MOSFET耐压是多少？	7组电压等级，25V/30V/40V/60V/80V/100V/150V覆盖满足各种应用
我的设计通常需要多个NOSFET并联，Source-down的产品对于多管并联有什么帮助？	source down 3*3 的center gate 就是为并联应用而来。
提升了多少的功率密度？	source down 3*3package ，可以替代相似Rdson 的5*6 drain down 的MOS
Source-down技术的MOSFET饱和漏源电流有多大？	以IQE006N02LM5 (Max. Rdson is 0.65mohm ) 为例，常温 Id=298A, Peak 电流可以承受 1192 A .
请问驱动电路是否要进行特殊处理？	和普通MOS没有区别，甚至更容易驱动
请问驱动电路是否要进行特殊处理？	跟通常的drain down 驱动电路是一样的
该技术的mosfet都有哪些规格？	25V~150V 耐压等级的都有
基于Source-down技术的MOSFET的栅极材料是用什么做的？	更通常的drain down 是一样的
Source-Down MOSFET抗干扰如何?	跟通常的drain down 是一样的
基于Source-down技术的全新功率OptiMOS MOSFET 跟同行产品比有那些优势了？	Rdson 低30%, 热阻低20%, Qg更小。。。。。。
低压功率MOSFET供电和耐压分别为多少	Infineon 会推出 25V~150V 耐压等级的一系列产品，会有logic level and normal level 两种产品。 供电电压跟通常的drain down 一样
这个MOS管能通过多大的电流	以IQE006N02LM5 （Max. Rdson is 0.65m ohm ) ，理论商常温下Id=298A, Peak 电流 1192A
是不是适合做无线充	适合
低压功率MOSFET的导通电阻是多少？	25V 的 IQE006N02LM5 的Max. Rdson =0.65m ohm 。
基于Source-down技术的MOSFET热稳定性怎样？	相比相同package 的drain down 场频， Rthjc 可以优化20% .同时配合系统的PCB 设计，更容易散热，热性能更好
Source-Down MOSFET应用范围如何?	SR 整流 ,Oring , Buck ，电钻等要求高功率密度，大电流应用的
有效提高功率密度，是如何量化的？大约提高为多少？主要措施是从哪几方面来实现的？谢谢	以同步整流为例 ， 可以替代5*6 drain down 的产品。 Id*Area 可以优化60%
Source-Down技术PCB散热，对PCB材质和设计有什么要求没有？？	对PCB 材质的要求跟通常MOS 是一样的。 利用Source down package ，PCB 可以多打打贯穿孔的方式，利于散热。
R DS有降低吗，如果有降低了多少	更同样尺寸的drain down 相比，优化30% Rdson
低压功率MOSFET工作温度是多少？	-55°~150°
这个只有低压的产品吗，有适合高压的吗？	今年会陆续推出25V/40V /60V/80V/100V/120V/150V 等耐压等级
Source-down技术发展前景如何	在SR 同步整流，Oring ，buck 线路,电钻等广受客户欢迎
请问这种封装的MOS怎么设计散热比较好？	利用source down package , PCB 板可以source down 位置有机会多打一些贯穿孔，利于散热
这个还需要外加散热片吗？	Rdson更好，意味效率更高，同样的应用需要更小的散热面积或甚至可以不需要
请问能不能PIN对PIN兼容Drain-Down?	大部分应用是不能的，要看具体型号
英飞凌OptiMOS MOSFET Rds 值是多少？	目前已量产的最低Rdson已做到0.65mohm
source-down 是什么技术	直观的说之前的MOS散热Pad是D极，而新Source down技术把散热Pad做成S极，从而带来视频中提及的多项优点
功率密度与散热的平衡？	新技术减小了Rdson和热阻，只会更加提高了功率密度
Source-down技术会不会影响芯片的功率损耗这方面？	会呀，更小的Rdson会导致更小的损耗
最大的耐压设计是多少伏？冷却性能采用什么方式和原理？谢谢	目前量产最大电压150V，冷却方式和传统MOS没有区别
采用此新款MOSFET进行并联设计时，需要在参数上对并联管进行均流设计吗。	source-down产品在温度特性上的趋势和传统MOS是一致的，因为正温度系数所以对通常的设计并联时并不需要特别得均流设计
用在大电流高频的同步整流上有优势吗？	因为新技术，Rdson更小，驱动更容易，所以非常适合做高频同步整流
我主要用来做LED的恒流驱动？	低压端线性调光都可以做，性能更好