有奖直播|基于Source-down技术的全新英飞凌MOSFET，有效提升功率密度，肉眼可见

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有奖直播|基于Source-down技术的全新英飞凌MOSFET，有效提升功率密度，肉眼可见 [复制链接]

无论是开关电源还是马达驱动，工程师们通常都在孜孜不倦地追求三“高”：更高的效率，更高的功率密度，以及更高的可靠性。可是现有PCB空间已经非常狭小了，如何实现这些目标？这通常困扰着设计工程师。为了解决大家困扰已久的问题，英飞凌创新地推出了基于Source-down技术的全新功率OptiMOS™ MOSFET，就是为了帮助客户工程师解决这些设计挑战。本次直播英飞凌与合作伙伴品佳集团一起为您全面详细的介绍英飞凌创新的OptiMOS™ MOSFET。为您今后的设计提供新的思路，绝对物有所值。

直播时间：4月20日 上午10:00-11:30

直播主题：基于Source-down技术的全新英飞凌MOSFET，有效提升功率密度，肉眼可见

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直播讲师：

曾伟权

英飞凌电源与传感系统事业部高级市场经理
曾先生具有多年电力电子的产品开发经验，加入英飞凌科技（中国）有限公司十余年，目前负责英飞凌大中华区中低压功率器件的产品市场工作，包括新产品推广，新业务拓展等等。

 

柳生伟

大联大控股旗下品佳集团应用工程副理
柳先生具有多年电源行业研发经验，目前就职大联大品佳集团应用工程副理，负责英飞凌功率器件产品的技术支持和产品推介工作等。

 

奖品设置

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annysky2012

可靠性排在第一位！