为了加大输出的电流，通常会并联MOS，这样一来。栅极电容就大了。驱动G的信号要注...

QWE4562009

为了加大输出的电流，通常会并联MOS，这样一来。栅极电容就大了。驱动G的信号要注... [复制链接]

为了加大输出的电流，通常会并联MOS，这样一来。栅极电容就大了。驱动G的信号要注意哪些细节呢？

maychang

先别说驱动信号要注意哪些细节。

你的MOS管，是 “头对头” 联接，即两个MOS的漏极联接在一起，目的可能是用MOS控制交流。这样联接，两侧的MOS管驱动必须分开，即必须是隔离的。这样联接，驱动变得复杂，绝对不能用一个芯片(U12的28脚和31脚)驱动。

maychang

联接方式就不对，谈何 “细节”？先把 “巨节” 弄清楚再说吧。

QWE4562009

maychang 发表于 2020-8-31 17:27 联接方式就不对，谈何 “细节”？先把 “巨节” 弄清楚再说吧。

TI官网下载的参考设计你说哪里有问题？

QWE4562009

maychang 发表于 2020-8-31 17:26 先别说驱动信号要注意哪些细节。你的MOS管，是 “头对头” 联接，即两个MOS的漏极联接在一起 ...

梅老师你看看这个

maychang

QWE4562009 发表于 2020-9-1 15:35 TI官网下载的参考设计你说哪里有问题？

把TI官网下载的 “参考设计” 完整地贴出来，或者给出链接，我下载来看看。

PowerAnts

一颗颠覆张老经验的器件

QWE4562009

maychang 发表于 2020-9-1 15:51 把TI官网下载的 “参考设计” 完整地贴出来，或者给出链接，我下载来看看。

怎么说张总

maychang

PowerAnts 发表于 2020-9-3 09:32 一颗颠覆张老经验的器件 https://www.ti.com/cn/lit/ds/symlink/bq76200.pdf

我看了这芯片的datasheet，其内部集成了自举电路和隔离电路。

现在芯片集成度是越来越高，各种不同的部分都能集成到一起。确实颠覆经验。

maychang

QWE4562009 发表于 2020-9-4 22:11 怎么说张总

一楼图中，使用的芯片可不是BQ76200。

多个MOS管门极并联，你自己说的 “这样一来。栅极电容就大了”，然后串联5.1k电阻，恐怕开关速度会相当慢。

QWE4562009

maychang 发表于 2020-9-5 07:02 一楼图中，使用的芯片可不是BQ76200。多个MOS管门极并联，你自己说的 “这样一来。栅极电容就大 ...

TI的BQ40Z50一样的原理也是高边驱动MOS

maychang

QWE4562009 发表于 2020-9-7 17:55 TI的BQ40Z50一样的原理也是高边驱动MOS

你自己说的 “这样一来。栅极电容就大了”，然后串联5.1k电阻。

电容大了(并联多少个就增加到多少倍)，还串联那么大的电阻？

PowerAnts

maychang 发表于 2020-9-7 18:06 你自己说的 “这样一来。栅极电容就大了”，然后串联5.1k电阻。电容大了(并联多少个就增加 ...

设一组4串三元锂电池组最高电压16.8，允许用户设备端1000uF电容，电容充电电荷量0.0168C，下面的MOSFET要将充电峰值控制到安全区的0.7倍即120A，则MOSFET的开启过程不得小于140uS，嘿嘿，这还不算啥，有的用户要接10000uF的电容

maychang

PowerAnts 发表于 2020-9-9 09:11 设一组4串三元锂电池组最高电压16.8，允许用户设备端1000uF电容，电容充电电荷量0.0168C，下面的MOSFET要 ...

原来如此！