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5G 使得通信行业迎来重大变革，通信频段数量从 4G 时代开始就处于快速增长的状态，其中射频前端作为手机通信功能的核心组件，将直接受益。
从分立器件到 FEMiD（集成双工器的射频前端模块，Front-End Module with Integrated Duplexer），再到 PAMiD（集成双工器的攻防模块，Power Amplifier Module with integrated Duplexer ），射频前端集成化的趋势愈加明显。
相较于 FEMiD，PAMiD 集成度高，可节省手机内 PCB 的空间，又因其集成模块多，所以系统设计变得更易上手。Qorvo 通过将 LNA（低噪声放大器）集成到 PAMiD 中，实现了 PAMiD 到 L-PAMiD（带 LNA 的 PA 模块）的转变，使得射频前端模块的节省面积达 35-40mm*2，且支持更多的功能，让 PCB 的布局更为合理。
在射频前端，产生 EMI (电磁干扰)和 RFI (射频干扰)是常见问题，而且随着越来越多元件集成到射频前端模块，这种现象会更为常见。目前业内一般采用外置机械屏蔽罩对射频模块实施屏蔽，即嵌入金属外壳，以保护模块免受外部电磁场的影响。但这种做法可能会导致灵敏度下降以及谐波升高，对设备造成损害，带来很多设计上的风险。
针对以上问题，Qorvo 研发自屏蔽模块，即在模块表面添加一层自屏蔽金属镀层，可使表面电流减少 100 倍，相当于其射频前端模块自带屏蔽罩，无需再思考机械屏蔽罩的放置问题。
Qorvo 自屏蔽模块的推出帮助客户在设计手机 PCB 模块的过程中，不用担心机械屏蔽罩在 L-PAMiD 中造成不必要的耦合。目前，该技术主要应用于苹果、三星等一些高端手机中。
Qorvo 认为，射频前端模块的持续整合加上自屏蔽模块的应用将是未来射频前端的重要发展趋势。虽然当下 PAMiD 方面的成本较高，但随着 5G 时代快速发展，采用 Qorvo 自屏蔽技术的 L-PAMiD 将会被更多厂商所接受，未来在中低端手机中也会得到普及。
从 Qorvo 分享的 PAMiD/L-PAMiD 产品路线图中可以看出，目前 Qorvo 的产品全部同时集成了自屏蔽和 LNA，并支持 5G 频段。Qorvo 曾在财报会上表示，在 Fusion 20 产品组合方面，其零件是通用的，可以与当今市场上的所有 5G 基带一起使用，客户可根据自身需求自由搭配模组。
Qorvo 耕耘多年的氮化镓（GaN）工艺在 5G 建设中也大放异彩，Qorvo 应用于 5G 的 GaN 功率放大器系列布很宽，可支持 5G 不同的频率、不同的功率水平，满足不同客户的需求，该财季 Qorvo 的氮化镓收入比去年同期翻了一番。
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