单片机周边：4Mbit，这个就算FRAM容量达到了最高？

nmg

单片机周边：4Mbit，这个就算FRAM容量达到了最高？ [复制链接]

 

我想，这个容量最高应该不是受技术限制，是受应用限制，没必要做那么高吧？

期待懂的网友跟帖讨论。

 

富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量达到FRAM产品最高水平，运作温度最高可达125℃。目前可为客户提供评测版样品。

这款全新FRAM是非易失性内存产品，在125℃高温环境下可以达到10兆次读/写次数，工作电流低，是工业机器人和高级驾驶辅助系统（ADAS）等汽车应用的最佳选择。

FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存，并已量产20多年，近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。

 

    

MB85RS4MTY 8-pin DFN（顶部・底部）

 

自去年发布以来，2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽车和工业设备中获得广泛应用，而MB85RS4MTY将其容量提高了一倍，达到4M bit，满足更高容量的需求，配有SPI接口，工作电压为1.8V至3.6V。由于这款FRAM工作电流低，即使在125℃高温下，最大工作电流仅为4mA（运作频率50MHz），最大掉电模式电流为30µA，因此有助于降低环境敏感应用的功耗。

 

 

这款全新FRAM在-40℃至+ 125℃温度范围内可以达到10兆次读/写次数，适合某些需要实时数据记录的应用。例如，每0.03毫秒重写一次数据，同一地址连续记录数据可达10年之久。

 

这款FRAM产品采用业界标准8-pin SOP封装，可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。此外，还提供8-pin DFN（无引线双侧扁平）封装。

 

 富士通电子将继续提供内存产品和解决方案，满足市场和客户的未来需求。

 

关键规格

 

•        组件型号：MB85RS4MT

•        容量（组态）：4 Mbit（512K x 8位）

•        接口：SPI（Serial Peripheral Interface）

•        运作频率：最高50 MHz

•        运作电压：1.8V - 3.6V

•        运作温度范围：-40°C - +125°C

•        读/写耐久性：10兆次（1013次）

•        封装规格：8-pin DFN，8-pin SOP

 

 

铁电随机存取内存（FRAM）

FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产FRAM，亦称为FeRAM。

 

littleshrimp

赛普拉斯来打脸

nmg

littleshrimp 发表于 2020-7-31 13:00 赛普拉斯来打脸

这、

难道是官饭错了

le062

打脸使人强大

nmg

le062 发表于 2020-7-31 17:03 打脸使人强大

joeymm

从字面上看，人家也没写业界最高水平啊，也许是说自己公司的最高水平呢？

这种宣传性的东西，别太较真。

nmg

joeymm 发表于 2020-8-1 16:22 从字面上看，人家也没写业界最高水平啊，也许是说自己公司的最高水平呢？ 这种宣传性的东西，别太较真。 ...

哈哈，没较真，当时看到这个新闻感觉4Mbit就算最高，有点诧异

然后发到论坛晃悠晃悠，果然没经住工程师们的考察，哈哈

freebsder

最关键是多少钱？