当前MRAM市场以及专用MRAM设备测试的重要性

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当前MRAM市场以及专用MRAM设备测试的重要性 [复制链接]

 

Everspin专注于制造MRAM和STT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。为云存储，能源，工业，汽车和运输市场提供了上亿只MRAM和STT-MRAM存储器芯片。Everspin总代理宇芯电子可提供技术支持和产品解决方案。

MRAM可能是当今最有前途的下一代非易失性存储技术。Toggle MRAM和STT-MRAM已经进入市场，在许多应用中获得了市场份额。下一代MRAM技术（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替换最快的SRAM应用。
 

 

图1 内存制造过程

 
由于器件架构相对复杂，因此Everspin MRAM的生产过程分为多个阶段，在CMOS背板的顶部制作了一个磁性单元（前板）。器件的测量和表征非常重要，依赖于测量工具的MRAM存储器的生产专门用于MRAM和STT-MRAM测量。
 
Integral Solutions Inc（ISI）生产用于MRAM开发和生产的准静态测试仪。ISI是第一家为MRAM行业制造晶圆级测试仪的公司，并且可能拥有最大的STT-MRAM晶圆级测试仪安装基础。该公司在HDD磁头行业的长期经验为他们带来了MTJ测试经验，这些经验带给了新兴的MRAM测试行业。

Everspin串口MRAM

型号	容量	位宽	电压(V)	温度	封装	MOQ /托盘	MOQ /卷带
MR25H40CDC	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃to+85℃	8-DFN	570	4,000
MR20H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40 ℃to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H40MDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H10CDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10MDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10CDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H10MDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H256CDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000
MR25H256MDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000
MR25H256CDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H256MDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000

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MRAM可能是当今最有前途的下一代非易失性存储技术。Toggle MRAM和STT-MRAM已经进入市场，在许多应用中获得了市场份额。下一代MRAM技术（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替换最快的SRAM应用。

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由于器件架构相对复杂，因此Everspin MRAM的生产过程分为多个阶段，在CMOS背板的顶部制作了一个磁性单元（前板）。器件的测量和表征非常重要，依赖于测量工具的MRAM存储器的生产专门用于MRAM和STT-MRAM测量。

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MRAM其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。