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Everspin MRAM串行SPI MR25H256ACDF [复制链接]

总览
 
MR25H256是一个串行MRAM,具有使用串行外围设备接口的芯片选择(CS),串行输入(SI),串行输出(SO)和串行时钟(SCK)的四针接口在逻辑上将存储器阵列组织为32Kx8( SPI)总线。串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集,从而允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代方案相比,串行MRAM具有卓越的写入速度,无限的耐用性,低待机和运行能力以及更可靠的数据保留。
 


MR25H256ACDF产品图片
 


特征
•无写入延迟
•无限的写续航力
•数据保留超过20年
•断电时自动数据保护
•阻止写保护
•快速,简单的SPI接口,时钟速率高达40 MHz
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业和汽车1级和3级温度
•提供8-DFN或8-DFN符合RoHS标准的小标志。
•直接替换串行EEPROM,闪存,FeRAM
•工业级和AEC-Q100 1级和3级选件
•水分敏感性MSL-3
 

 

图1 –框图

 

系统配置
 
单个或多个设备可以连接到总线,如图2所示。SCK,SO和SI引脚在设备之间通用。每个器件都需要分别驱动CS和HOLD引脚。

 

图2 –系统配置

 

 


图3 –引脚图所有8-DFN封装

 

产品版本和选件
MR25H256A已批量生产,建议用于所有新设计。

 

 

规格书下载

MR25H256-MR25H256A.pdf (1.41 MB, 下载次数: 3)

 



宇芯电子代理商Everspin MRAM型号产品
 

型号 容量 位宽 电压(V) 温度 封装 MOQ /托盘 MOQ /卷带
MR25H256CDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 570 4,000
MR25H256MDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 570 4,000
MR25H256CDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000
MR25H256MDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 570 4,000
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串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集,从而允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作

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与可用的串行存储器替代方案相比,串行MRAM具有卓越的写入速度,无限的耐用性,低待机和运行能力以及更可靠的数据保留。

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