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AT28C64 如何写程序控制 [复制链接]

 void Chip_Erase(void)
{
    RAM_OE = 0;
    RAM_WE = 1;
    
    RAM_OE = 1;
    _nop_();
    _nop_();
    RAM_WE = 0;
    
    delay10ms();
    
    RAM_WE = 1;
    _nop_();
    _nop_();
    RAM_OE = 0;
}

 

请问这段程序能否对AT28C64 实现片擦除呢,还是需要怎么写才能实现

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一般上OE是负责控制是否输出的,写入数据时,并不使用这个控制端。CE是允许端,读写操作都要用到。WE是作为写入控制的。你想擦除芯片数据,正常逻辑是: 1、CE=0,允许读写芯片 1、设置写入单元的地址 2、设置写入单元的数据 3、使WE=0,数据执行写入(需要保持一定时间,按图示,最低10ms) 4、是WE=1,停止写入 5、CE=1,停止对2864的操作   详情 回复 发表于 2023-3-24 22:31
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你实际测了这段代码没?这段代码就是反复的写入0和1,实现擦除吧。

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为什么是反复写入 0  跟 1  呢?  RAM_OW  RAM_WE 只是信号控制脚,应该是没往存储单元写 数据吧  详情 回复 发表于 2020-3-10 11:10
 
 
 

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一粒金砂(中级)

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兰博 发表于 2020-3-10 10:54 你实际测了这段代码没?这段代码就是反复的写入0和1,实现擦除吧。

为什么是反复写入 0  跟 1  呢?  RAM_OW  RAM_WE 只是信号控制脚,应该是没往存储单元写 数据吧

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一粒金砂(中级)

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CE 引脚电路接地

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一粒金砂(初级)

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你没注意 VH=12V么。。。

要求你 OE 给 12v 电压,持续至少10ms

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一粒金砂(高级)

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一般上OE是负责控制是否输出的,写入数据时,并不使用这个控制端。CE是允许端,读写操作都要用到。WE是作为写入控制的。你想擦除芯片数据,正常逻辑是:

1、CE=0,允许读写芯片

1、设置写入单元的地址

2、设置写入单元的数据

3、使WE=0,数据执行写入(需要保持一定时间,按图示,最低10ms)

4、是WE=1,停止写入

5、CE=1,停止对2864的操作

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