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一粒金砂(中级)
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void Chip_Erase(void) { RAM_OE = 0; RAM_WE = 1; RAM_OE = 1; _nop_(); _nop_(); RAM_WE = 0; delay10ms(); RAM_WE = 1; _nop_(); _nop_(); RAM_OE = 0; }
请问这段程序能否对AT28C64 实现片擦除呢,还是需要怎么写才能实现 12.bmp (1.17 MB, 下载次数: 0) 下载附件 保存到相册 这是AT28C64 的 擦除时序 2020-3-10 10:02 上传 12.bmp (1.17 MB, 下载次数: 0) 下载附件 保存到相册 这是AT28C64 的 擦除时序 2020-3-10 10:02 上传 12.bmp (1.17 MB, 下载次数: 0) 下载附件 保存到相册 这是AT28C64 的 擦除时序 2020-3-10 10:02 上传
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这是AT28C64 的 擦除时序
2020-3-10 10:02 上传
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纯净的硅(初级)
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你实际测了这段代码没?这段代码就是反复的写入0和1,实现擦除吧。
兰博 发表于 2020-3-10 10:54 你实际测了这段代码没?这段代码就是反复的写入0和1,实现擦除吧。
为什么是反复写入 0 跟 1 呢? RAM_OW RAM_WE 只是信号控制脚,应该是没往存储单元写 数据吧
CE 引脚电路接地
一粒金砂(初级)
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你没注意 VH=12V么。。。
要求你 OE 给 12v 电压,持续至少10ms
一粒金砂(高级)
210
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一般上OE是负责控制是否输出的,写入数据时,并不使用这个控制端。CE是允许端,读写操作都要用到。WE是作为写入控制的。你想擦除芯片数据,正常逻辑是:
1、CE=0,允许读写芯片
1、设置写入单元的地址
2、设置写入单元的数据
3、使WE=0,数据执行写入(需要保持一定时间,按图示,最低10ms)
4、是WE=1,停止写入
5、CE=1,停止对2864的操作
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