射频微波——Qorvo把这方面的材料诠释不错【砷化镓和氮化镓】
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半导体原料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅 (Si)、锗 (Ge) 为代表的第一代半导体原料；第二阶段是以砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 等化合物为代表；第三阶段是以氮化镓 (GaN)、碳化硅 (SiC)、硒化锌 (ZnSe) 等宽带半导体原料为主。
第三代半导体原料具有较大的带宽宽度，较高的击穿电压 (breakdown voltage)，耐压与耐高温性能良好，因此更适用于制造高频、高温、大功率的射频组件。
从第二代半导体原料开始出现化合物，这些化合物凭借优异性能在半导体领域中取得广泛应用。
如 GaAs 在高功率传输领域具有优异的物理性能优势，广泛应用于手机、无线局域网络、光纤通讯、卫星通讯、卫星定位等领域。
GaN 则具有低导通损耗、高电流密度等优势，可显着减少电力损耗和散热负载。可应用于变频器、稳压器、变压器、无线充电等领域。
SiC 因其在高温、高压、高频等条件下的优异性能，在交流 - 直流转换器等电源转换装置中得以大量应用。
明日之星 -GaN
GaN 是未来最具增长潜力的化合物半导体，与 GaAs 和 InP 等高频工艺相比，GaN 制成组件输出的功率更大；与 LDMOS 和 SiC 等功率工艺相比，GaN 的频率特性更好。
大多数 Sub 6GHz 的蜂窝网络都将采用 GaN 组件，因为 LDMOS 无法承受如此高的频率，而 GaAs 对于高功率应用又非理想之选。
此外，因为较高的频率会降低每个基地台的覆盖范围，所以需要安装更多的晶体管，进而带动 GaN 市场规模将迅速扩大。
GaN 组件产值目前占整个市场 20% 左右，Yole 预估到 2025 年比重将提升至 50% 以上。
（数据源：yole；图：西南证券）不同材料的市场比重分布
> 射频原理 > 正文
射频领域的明星材料：砷化镓和氮化镓
半导体原料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅 (Si)、锗 (Ge) 为代表的第一代半导体原料；第二阶段是以砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 等化合物为代表；第三阶段是以氮化镓 (GaN)、碳化硅 (SiC)、硒化锌 (ZnSe) 等宽带半导体原料为主。
第三代半导体原料具有较大的带宽宽度，较高的击穿电压 (breakdown voltage)，耐压与耐高温性能良好，因此更适用于制造高频、高温、大功率的射频组件。
从第二代半导体原料开始出现化合物，这些化合物凭借优异性能在半导体领域中取得广泛应用。
如 GaAs 在高功率传输领域具有优异的物理性能优势，广泛应用于手机、无线局域网络、光纤通讯、卫星通讯、卫星定位等领域。
GaN 则具有低导通损耗、高电流密度等优势，可显着减少电力损耗和散热负载。可应用于变频器、稳压器、变压器、无线充电等领域。
SiC 因其在高温、高压、高频等条件下的优异性能，在交流 - 直流转换器等电源转换装置中得以大量应用。
明日之星 -GaN
GaN 是未来最具增长潜力的化合物半导体，与 GaAs 和 InP 等高频工艺相比，GaN 制成组件输出的功率更大；与 LDMOS 和 SiC 等功率工艺相比，GaN 的频率特性更好。
大多数 Sub 6GHz 的蜂窝网络都将采用 GaN 组件，因为 LDMOS 无法承受如此高的频率，而 GaAs 对于高功率应用又非理想之选。
此外，因为较高的频率会降低每个基地台的覆盖范围，所以需要安装更多的晶体管，进而带动 GaN 市场规模将迅速扩大。
GaN 组件产值目前占整个市场 20% 左右，Yole 预估到 2025 年比重将提升至 50% 以上。
（数据源：yole；图：西南证券）不同材料的市场比重分布
GaN HEMT 已经成为未来大型基地台功率放大器的候选技术。目前预估全球每年新建约 150 万座基地台，未来 5G 网络还将补充覆盖区域更小、分布更加密集的微型基地台，这将刺激 GaN 组件的需求。
此外，国防市场在过去几十年里一直是 GaN 开发的主要驱动力，目前已用于新一代空中和地面雷达。
（数据源：Qorvo；图：西南证券）
GaAs 作为最成熟的化合物半导体之一，是智能手机零组件中，功率放大器 (PA) 的基石。
根据 StrategyAnalytics 数据显示， 2018 年全球 GaAs 组件市场（含 IDM 厂组件产值）总产值约为 88.7 亿美元，创历史新高，且市场集中度高，其中 Qorvo 的市场份额占比为26%。
由于 GaAs 具有载波聚合和多输入多输出技术所需的高功率和高线性度，GaAs 仍将是 6 GHz 以下频段的主流技术。除此之外，GaAs 在汽车电子、军事领域方面也有一定的应用。
总结上述这些 III-V 族化合物半导体组件具有优异的高频特性，长期以来被视为太空科技中无线领域应用首选。
随着商业上宽带无线通信及光通讯的爆炸性需求，化合物半导体制程技术更广泛的被应用在高频、高功率、低噪声的无线产品及光电组件中。同时也从掌上型无线通信，扩散至物联网趋势下的 5G 基础建设和光通讯的技术开发领域。作为资深的射频专家，Qorvo在这个领域有深入的研究。
Qorvo 手机事业部高级销售经理 David Zhao 之前在接受媒体采访时指出，5G 对 PA 线性度要求更高，所以耐压高的 GaAs 工艺更受青睐。砷化镓Die 倒装技术，已经被 QRVO 普遍采用。相比于传统的砷化镓 wire bonding 封装，倒装工艺让模块 厚度更薄，一致性更好。通过配合 SOI、CMOS 和 SAW/BAW 的倒装工艺，尺寸更小，功能更 多的SiP射频模组成为可能。
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提升卡
变色卡
千斤顶
又是QORVO的信息啊。
