MR25H40CDC串行MRAM存储芯片

英尚微电子

MR25H40CDC串行MRAM存储芯片 [复制链接]

EVERSPIN推出一款串行MRAM存储芯片MR25H40CDC工作电压为3.3V,容量为4Mbit数据位宽8位，工作温度范围：-40℃ to +85℃，采用5 mm x 6 mm 8引脚DFN封装封装，拥有非常出色的耐读/写能力，MR25H40CDC兼容兼容串行EEPROM和串行闪存的读/写时序，可应用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输等领域的非易失性存储器。

 

全球开发和制造独立式与嵌入式磁性随机存储器MRAM存储芯片和集成磁传感器的领导业者Everspin科技公司，在运算、存储、工业和办公自动化市场，Everspin MRAM技术开发最先进的产品已被越来越多的领导厂商采用。英尚微电子代理Everspin科技的全系列MRAM存储芯片产品，MRAM存储芯片具高可靠性、快速读/写、即时开启、非挥发性、和无限次擦除等特性，Everspin科技的MRAM存储芯片包括提供BGA和TSOP两种封装可选、容量从256Kb 到16Mb 的8位和16位并行I/O产品以及采用DFN封装、容量从256Kb到1Mb的串行I/O产品。

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英尚微电子代理Everspin科技的全系列MRAM存储芯片产品，MRAM存储芯片具高可靠性、快速读/写、即时开启、非挥发性、和无限次擦除等特性

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Everspin科技的MRAM存储芯片包括提供BGA和TSOP两种封装可选、容量从256Kb 到16Mb 的8位和16位并行I/O产品以及采用DFN封装、容量从256Kb到1Mb的串行I/O产品。