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纯净的硅(初级)

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电容的基础问题 [复制链接]

最近围观版主RCD的帖子,里面讨论了很多关于MOS  Coss的问题,受益颇多

RCD的计算方法https://bbs.eeworld.com.cn/thread-1087737-1-1.html

恰巧最近看了另外一篇文章,里面有个很基础但有意思的问题:

话说,并联的两个电容,将其充电到相同的电压并保持相同的存储电荷,它们是否必定存储了相同的能量?

原帖链接先不贴出来,试试水,大家如何看这个问题。

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感谢分享,正是我想要的   详情 回复 发表于 2019-9-12 15:02
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五彩晶圆(高级)

沙发
 
理论与现实有区别,线性与非线性有诧异
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五彩晶圆(高级)

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记得多年前,在讨论BJT的开启与关断问题时,以maychang为代表的一方认为主要是多子的问题,当时有一两个反派认为是结电容的问题,认为开关的延时是因为接近零偏时结电容非常大,需要储存很多的电荷,所以速度慢。这本是个求极限的问题,电压接近0时结电容固然大,不过因为电压很小,所需的电荷量也就有限,并不会无限收纳。

因为MOSFET的结电容是非线性的,原厂一般提供一个Eoss来评估Coss的储能量

实际应用中,外界并联的电容 (如变压器的层间匝间电容,一二次侧电容经Y电容接入等)可认为是线性的,其储能比Eoss大,所以在谐振时,非线性的作用被大大缓和,不是太突出了

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五彩晶圆(高级)

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光看MOSFET的Coss+Crss, 总量用蓝线表示,一半以上的电荷是在15V以下储存,但能量却非常少;

当外界并入100pF量级的电容,实际工作中U-C曲线变成红线所示

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一语道破,大赞👍👍👍 这个坛子玩的人也这么少    详情 回复 发表于 2019-8-30 22:25

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纯净的硅(初级)

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PowerAnts 发表于 2019-8-30 12:19 光看MOSFET的Coss+Crss, 总量用蓝线表示,一半以上的电荷是在15V以下储存,但能量却非常少; 当外界 ...

一语道破,大赞👍👍👍

这个坛子玩的人也这么少

 

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一看到你的贴子,就知道你在啃PDF。假以时日,必成大器  详情 回复 发表于 2019-8-30 23:31
 
 
 

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不亦心 发表于 2019-8-30 22:25 一语道破,大赞👍👍👍 这个坛子玩的人也这么少  

一看到你的贴子,就知道你在啃PDF。假以时日,必成大器

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一粒金砂(初级)

7
 

非常好的资料,非常感谢

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一粒金砂(高级)

8
 

感谢分享,正是我想要的

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